貼片電容(MLCC)的穩(wěn)定性及容量精度與其采用的介質(zhì)材料存在對(duì)應(yīng)關(guān)系，主要分為三大類別： 一、是以COG/NPO為I類介質(zhì)的高頻電容器，其溫度系數(shù)為±30ppm/℃，電容量非常穩(wěn)定，幾乎不隨溫度、電壓和時(shí)間的變化而變...

隨著應(yīng)用的普及，晶片電阻具有越來越重要的作用。主要參數(shù)包括ESD保護(hù)、熱電動(dòng)勢(shì)(EMF)、電阻熱系數(shù)(TCR)、自熱性、長(zhǎng)期穩(wěn)定性、功率系數(shù)和噪聲等。 以下技術(shù)對(duì)比中將討論線繞電阻在精密電路中的應(yīng)用。不過請(qǐng)注意，線繞電阻沒有晶片型，因...

目前消費(fèi)性電子產(chǎn)品也都必需通過IEC61000-4-2的靜電放電測(cè)試要求。TVS(TransientVoltageSuppressor)便是專門設(shè)計(jì)用于吸收ESD能量并且保護(hù)系統(tǒng)免于遭受ESD損害的保護(hù)組件，因此如何選擇適當(dāng)?shù)腡VS以提高電...

電容三點(diǎn)式振蕩器即考畢茲振蕩器是自激振蕩器的一種。圖中的L、C1、C2組成諧振回路，作為晶體管放大器的負(fù)載阻抗。反饋信號(hào)從電容器C2兩端取得，送回放大器的基極b上，而且也是將LC回路的三個(gè)端點(diǎn)分別與晶體管的三個(gè)電極相連，故將這種電路成為電容...

近年來，智能手機(jī)、平板電腦等便攜設(shè)備市場(chǎng)強(qiáng)勁發(fā)展，更大尺寸的屏幕日漸流行，消費(fèi)者對(duì)應(yīng)用處理器、圖形處理器及外設(shè)的電源管理體驗(yàn)的要求越來越高。這些促使便攜設(shè)備采用更大容量的電池，如一些最新智能手機(jī)配備了2000mAh甚至達(dá)3000mAh電池，...

微傳感器是設(shè)備中的主要產(chǎn)品，在已開發(fā)的產(chǎn)品中微傳感器占到很大的比例。微傳感器的體積小、功耗低、響應(yīng)快、便于和信號(hào)處理部分集成以構(gòu)成微傳感器測(cè)試系統(tǒng)、這些特性使其可以應(yīng)用于汽車、航空航天、電機(jī)、醫(yī)學(xué)、家用電器、生物化學(xué)、環(huán)境檢測(cè)等廣闊領(lǐng)域。 ...

微傳感器是設(shè)備中的主要產(chǎn)品，在已開發(fā)的產(chǎn)品中微傳感器占到很大的比例。微傳感器的體積小、功耗低、響應(yīng)快、便于和信號(hào)處理部分集成以構(gòu)成微傳感器測(cè)試系統(tǒng)、這些特性使其可以應(yīng)用于汽車、航空航天、電機(jī)、醫(yī)學(xué)、家用電器、生物化學(xué)、環(huán)境檢測(cè)等廣闊領(lǐng)域。 ...

安規(guī)電容是指用于這樣的場(chǎng)合，即電容器失效后，不會(huì)導(dǎo)致電擊，不危及人身安全.它包括了X電容和Y電容。x電容是跨接在電力線兩線（L-N）之間的電容，一般選用金屬薄膜電容；Y電容是分別跨接在電力線兩線和地之間（L-E，N-E）的電容，一般是成對(duì)出...

MLCC雖然是比較簡(jiǎn)單的，但是，也是失效率相對(duì)較高的一種器件。失效率高，一方面是MLCC結(jié)構(gòu)固有的可靠性問題，另外還有選型問題以及應(yīng)用問題。 由于電容算是簡(jiǎn)單的器件，所以有的設(shè)計(jì)工程師由于不夠重視，從而對(duì)MLCC的獨(dú)有特性不了解。在理想化...

上圖所示整流電路.使用中整流橋出現(xiàn)破裂.濾波電容冒煙。進(jìn)一步檢查發(fā)現(xiàn)整流橋發(fā)熱較嚴(yán)重，由于其引腳被剪短后緊阽印板安裝.其周邊印板已呈現(xiàn)焦黃色。 一、原因 圖1電路中，交流正半周時(shí)D1、D3導(dǎo)通;負(fù)半月時(shí)D2、D4導(dǎo)通;整六電流同...

目前，考慮到體積，成本等因素，大多數(shù)AC/DC變換器輸入整流濾波采用電容輸入式濾波方式，電路原理如圖1所示。由于電容器上電壓不能躍變，在整流器上電之初，濾波電容電壓幾乎為零，等效為整流輸出端短路。如在最不利的情況(上電時(shí)的電壓瞬時(shí)值為電源電...

場(chǎng)效應(yīng)管(MOS管)被擊穿的原因及解決方案如下：　　 第一、MOS管本身的輸入電阻很高，而柵-源極間電容又非常小，所以極易受外界電磁場(chǎng)或靜電的感應(yīng)而帶電，而少量電荷就可在極間電容上形成相當(dāng)高的電壓（U=Q/C），將管子損壞。雖然MOS輸入...