關(guān)鍵字:移動式內(nèi)存 LPDDR2
從需求面觀察,隨著SoC (System on Chip)的規(guī)格不斷提升,明年智能手機搭載的主芯片將以雙核與四核心為主。由于主芯片需要搭配LPDDR2以上的規(guī)格才能發(fā)揮最佳的運算效能,因此2013年LPDDR1的需求將會逐步下滑,并降至整體移動式內(nèi)存產(chǎn)出量的兩成以下,且內(nèi)存供貨商在LPDDR1的產(chǎn)能持續(xù)轉(zhuǎn)移至LPDDR2,供貨減少下,續(xù)用LPDDR1的手機制造商將會有更大的備料壓力。而高階的智能手機、平板電腦及Ultrabook機種雖可導入LPDDR3作為內(nèi)存配備,然僅有高階機種出貨量仍不足以拉動整體LPDDR3的需求,在總量尚未提升至一定水平之前,LPDDR3與LPDDR2的價格差距不易縮短,因此2013年LPDDR2仍然會穩(wěn)居移動式內(nèi)存市場主流,LPDDR3成為主流最快也要至2014下半年。
從供給面觀察,目前市場上可以提供LPDDR2內(nèi)存顆粒的制造商主要有四家:三星半導體、SK海力士、爾必達內(nèi)存以及美光科技。自生產(chǎn)技術(shù)觀察,目前三星半導體的移動式內(nèi)存產(chǎn)品制程除了LPDDR1以外,皆已悉數(shù)轉(zhuǎn)進至35nm制程,SK海力士主流制程為38nm,爾必達在LPDDR2制程與美光同為30nm,因此各家廠商在單顆粒產(chǎn)出的效率與技術(shù)可謂不相上下,且各家廠商對于2x納米制程進度轉(zhuǎn)趨保守,2013年上半年3x納米仍然會是主流生產(chǎn)技術(shù)。若進一步討論單顆粒容量大小(mono die density),四家主要移動式內(nèi)存供貨商的LPDDR2 mono die 在2013年主流的單位容量顆粒應(yīng)是4Gb,因此在成品容量的搭配上也是大同小異,例如多芯片封裝(MCP)的多元組合產(chǎn)品以及創(chuàng)造產(chǎn)品差異化,將會是各家廠商嚴肅的課題。
綜觀2013年的移動式內(nèi)存市場,雖然有智能手機與各種移動設(shè)備帶來穩(wěn)定的增長,然而內(nèi)存供應(yīng)面在標準型內(nèi)存的產(chǎn)能大舉轉(zhuǎn)向移動式內(nèi)存的情況下,想達到穩(wěn)定的供需平衡實屬不易。供過于求的情況將反應(yīng)在每季移動式內(nèi)存的價格降幅上,因此成本結(jié)構(gòu)的考驗相當嚴酷。當各家內(nèi)存供貨商在技術(shù)上已經(jīng)不易拉出更大差距的情況下,獲利的關(guān)鍵就在于精確掌握生產(chǎn)成本、提高生產(chǎn)良率以及善用多樣化的產(chǎn)品組合,才能在競爭激烈的內(nèi)存市場中搶下一席之地。