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瞄準(zhǔn)工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用,IR推出第八代 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)

關(guān)鍵字:IR  IGBT 

全球功率半導(dǎo)體和管理方案領(lǐng)導(dǎo)廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡(jiǎn)稱IR) 推出新一代絕緣柵雙極型晶體管 (IGBT) 技術(shù)平臺(tái)。全新第八代 (Gen8) 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)采用IR的新一代溝道柵極場(chǎng)截止技術(shù),為工業(yè)及節(jié)能應(yīng)用提供卓越性能。

全新的Gen8設(shè)計(jì)可讓高性能Vce(on) 降低功耗及增加功率密度,并可提供超卓的耐用性。IR亞太區(qū)銷售副總裁潘大偉表示:“通過開發(fā)全新基準(zhǔn)技術(shù)及頂尖的IGBT硅平臺(tái),彰顯出IR在數(shù)十年來致力提升功率電子技術(shù)的承諾。我們期望為所有電動(dòng)馬達(dá)提供百分之百變頻,以期更有效地使用電能及綠化環(huán)境?!?

新技術(shù)針對(duì)電機(jī)驅(qū)動(dòng)應(yīng)用提供更好的軟關(guān)斷功能,有助于把dv/dt降到最低,從而減少電磁干擾、抑制過壓,從而提升可靠性與耐用性。這個(gè)平臺(tái)的參數(shù)分布較窄,在高電流功率模塊內(nèi)并聯(lián)起多個(gè)IGBT之時(shí),可提供出色的電流分配。薄晶圓技術(shù)則改善了熱電阻和達(dá)到175°C的最高結(jié)溫。

潘大偉補(bǔ)充道:“IR的Gen8 IGBT平臺(tái)旨在為工業(yè)應(yīng)用提供卓越技術(shù)。該IGBT平臺(tái)憑借高性能Vce(on)、超卓的耐用性及一流的開關(guān)功能,使工業(yè)市場(chǎng)中的艱巨難題迎刃而解?!?

產(chǎn)品規(guī)格

《國際電子商情》IR 推出第八代 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)

產(chǎn)品供應(yīng)

IR Gen8 1200V IGBT平臺(tái)的樣本已開始提供給各大原始設(shè)備制造商 (OEM) 及原始設(shè)計(jì)制造商 (ODM) 合作伙伴。

《國際電子商情》IR 推出第八代 1200V IGBT技術(shù)平臺(tái)

產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
君耀電子(Brightking)
RUBYCON電容原裝現(xiàn)貨供應(yīng)商
HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
傳感器
飛思卡爾開發(fā)工具 Freescale
嵌入式解決方案
自動(dòng)化工業(yè)系統(tǒng)
網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)
行車記錄儀
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