半導(dǎo)體業(yè)工藝追趕，10納米時(shí)間節(jié)點(diǎn)隱現(xiàn)

14納米工藝三星領(lǐng)先臺(tái)積電，爭(zhēng)得蘋果、高通等公司的大量移動(dòng)處理器代工訂單。早在三年前英特爾就積極布局10納米工藝預(yù)計(jì)在2017年量產(chǎn)；臺(tái)積電透露投巨資預(yù)計(jì)2017年量產(chǎn)10納米工藝追趕英特爾，而三星電子也近日展示了其最新的10 納米 FinFET 半導(dǎo)體工藝，預(yù)計(jì)2017年將導(dǎo)入此最新的半導(dǎo)體工藝。由此看來，三大晶圓代工大廠商將在2017年的消費(fèi)電子產(chǎn)品中對(duì)決10納米工藝。

 

據(jù)市調(diào)單位IC Insights最新統(tǒng)計(jì)，2014年半導(dǎo)體研發(fā)費(fèi)用英特爾約115億美元、臺(tái)積電達(dá)18.74億美元、三星達(dá)29.65億美元。

 

三星電子在舊金山于2月22-26日舉辦的國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議(International Solid State Circuit Conference，ISSCC)上展示了全球首見的 10 納米 FinFET 半導(dǎo)體工藝，有望搶在英特爾之前制造出第一款10納米移動(dòng)芯片組。

 

三星電子半導(dǎo)體事業(yè)部總裁 Kim Ki-nam 在展場(chǎng)中表示，采用 10 納米FinFET工藝技術(shù)的芯片不但更加省電、體積也更小，是物聯(lián)網(wǎng)(IoT)演化進(jìn)程中相當(dāng)重要的一步。除了 10 納米工藝技術(shù)之外，Kim 也談?wù)摿?10 納米的 DRAM 與 3D V-NAND 科技。

 

根據(jù)報(bào)導(dǎo)，目前還無法確定消費(fèi)性電子產(chǎn)品何時(shí)才會(huì)導(dǎo)入這種最新的半導(dǎo)體工藝技術(shù)，也許要到 2017 年才有可能。

 

臺(tái)積電預(yù)計(jì)2017年量產(chǎn)10納米工藝　追上Intel

 

同時(shí)，晶圓代工龍頭臺(tái)積電(TSMC)透露該公司將在 2017年開始量產(chǎn) 10納米工藝，屆時(shí)將能與英特爾(Intel)并駕齊驅(qū)；“我們的10納米工藝性能表現(xiàn)，包括速度、功率與密度，將會(huì)與我們認(rèn)為英特爾為其10納米技術(shù)所定義的規(guī)格相當(dāng)；”臺(tái)積電企業(yè)通訊部門總監(jiān)Elizabeth Sun表示：“憑借技術(shù)實(shí)力，我們認(rèn)為能在10納米節(jié)點(diǎn)拉近差距。”

 

而臺(tái)積電首度表示，今年預(yù)期將會(huì)有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)界最大規(guī)模的資本支出，其目標(biāo)是鞏固其晶圓代工市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位，以對(duì)抗英特爾、三星(Samsung)與Global Foundries等競(jìng)爭(zhēng)者。臺(tái)積電將 2015年資本支出預(yù)算提高至115億美元至120億美元，較 2014年成長(zhǎng)11.5~20%，主要原因是對(duì)市場(chǎng)的先進(jìn)工藝需求深具信心。英特爾的 2014年度資本支出為101億美元，今年則預(yù)期維持在100億美元左右，增減5億美元。

 

臺(tái)積電的Sun表示，隨著摩爾定律(Moore's Law)逐漸「失能」，產(chǎn)業(yè)界也剩下越來越少?gòu)S商能負(fù)擔(dān)先進(jìn)工藝所需的龐大投資：“當(dāng)你繼續(xù)微縮芯片，成本就不斷上升，越來越少人能夠真正負(fù)擔(dān)得起。”她透露，臺(tái)積電將在該公司的中科廠(編按：12寸晶圓Fab 15)進(jìn)行10納米量產(chǎn)，該廠隨后也將量產(chǎn)更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。

 

 

臺(tái)積電將于中科晶圓廠(Fab 15)量產(chǎn)10納米工藝

 

根據(jù)業(yè)界消息，臺(tái)積電的中科晶圓廠在 2018年底將達(dá)到9萬片晶圓月產(chǎn)能，采用10納米節(jié)點(diǎn)或更先進(jìn)工藝技術(shù)；該公司在本月稍早也表示將投資5,000億臺(tái)幣(159億美元)擴(kuò)展中科廠產(chǎn)能。在1月份的財(cái)報(bào)發(fā)布會(huì)上，臺(tái)積電共同執(zhí)行長(zhǎng)劉德音表示，臺(tái)積電2015年?duì)I收成長(zhǎng)率可望比產(chǎn)業(yè)估計(jì)12%的平均成長(zhǎng)率高出“數(shù)個(gè)百分點(diǎn)”。

 

臺(tái)積電 2015年第一季營(yíng)收預(yù)期在新臺(tái)幣2,210億~2,240億臺(tái)幣之間，較 2014年同期成長(zhǎng)約50%。臺(tái)積電中科晶圓廠 2014年產(chǎn)值為2,000億臺(tái)幣，貢獻(xiàn)臺(tái)積電年度總產(chǎn)值約28%的比例。而Sun也透露，臺(tái)積電的10納米節(jié)點(diǎn)量產(chǎn)將采用浸潤(rùn)式微影設(shè)備，至于更先進(jìn)工藝節(jié)點(diǎn)將采用何種微影工具則尚未公布。

 

“我們正在與ASML合作，目標(biāo)是在未來某個(gè)時(shí)候如果超紫外光微影(EUV)準(zhǔn)備就緒，我們就能將該技術(shù)部分應(yīng)用于10納米工藝節(jié)點(diǎn)；”Sun解釋，所謂的部分應(yīng)用指的是指在少數(shù)關(guān)鍵電路層采用，而在10納米以下工藝節(jié)點(diǎn)使用EUV微影仍要看該技術(shù)是否準(zhǔn)備好量產(chǎn)：“相關(guān)工作仍在持續(xù)進(jìn)展。”