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DRAM產(chǎn)能競(jìng)賽再起,20nm工藝漸成主流

關(guān)鍵字:DRAM產(chǎn)能  20nm工藝  武岳峰收購芯成   電子制作模塊

受惠于全球智能手機(jī)的持續(xù)熱銷,DRAM產(chǎn)業(yè)在過去的一年獲利頗豐,TrendForce旗下記憶體儲(chǔ)存事業(yè)處DRAMeXchange預(yù)估2015年的DRAM總產(chǎn)值將達(dá)512億美元規(guī)模,年成長(zhǎng)為12%,為市場(chǎng)穩(wěn)定增長(zhǎng)獲利的一年。其中,2014年移動(dòng)內(nèi)存占整體DRAM產(chǎn)出的36%,2015年將有機(jī)會(huì)突破40%大關(guān)。

 

2015年第一季度,受DRAM合約均價(jià)下跌影響,加上筆記本電腦市場(chǎng)與智能手機(jī)步入傳統(tǒng)淡季,因此全球DRAM產(chǎn)業(yè)第一季總產(chǎn)值衰退達(dá)7.5%,營(yíng)收僅120億美元。進(jìn)入第二季度,臺(tái)灣兩大DRAM廠南亞科和華亞科均保守預(yù)期,認(rèn)為DRAM售價(jià)可能繼續(xù)下滑。華亞科財(cái)務(wù)長(zhǎng)沈道邦認(rèn)為:“Q2移動(dòng)DRAM價(jià)格將緩跌,平均銷售價(jià)格可能比Q1更差。”來自南亞科資深副總李培瑛表示:“預(yù)期需求依然熱絡(luò),相比Q1的微幅供過于求,Q2的DRAM整體市場(chǎng)將恢復(fù)平穩(wěn),第三季度供不應(yīng)求缺口不排除擴(kuò)大,全年來看還是小幅供不應(yīng)求。”

 

 

《國(guó)際電子商情》2015年Q1全球DRAM廠自有品牌內(nèi)存營(yíng)收排名
2015年Q1全球DRAM廠自有品牌內(nèi)存營(yíng)收排名
 

 

DRAM產(chǎn)業(yè)走過了景氣谷底,加上需求的持續(xù)保障,DRAM廠重新開始考慮建廠,從去年下半年開始陸續(xù)啟動(dòng)擴(kuò)建新廠,各家產(chǎn)能競(jìng)賽再起,并穩(wěn)步升級(jí)工藝。今年以來,中國(guó)政府積極扶持自有DRAM產(chǎn)業(yè),各項(xiàng)政策與收購動(dòng)作浮上臺(tái)面,攪局這一競(jìng)爭(zhēng)格局相當(dāng)穩(wěn)定的市場(chǎng)。

韓臺(tái)廠商陸續(xù)擴(kuò)產(chǎn)升級(jí)工藝

 

三星與SK海力士不約而同在2014年宣布擴(kuò)建新廠的消息,產(chǎn)能競(jìng)賽再起的傳聞甚囂塵上。但事實(shí)上,三星與SK海力士都將依據(jù)市場(chǎng)需求動(dòng)態(tài)調(diào)整產(chǎn)能,三星在擴(kuò)建Line17的同時(shí),Line16 DRAM產(chǎn)能已悄悄縮減并歸還給NAND事業(yè)部使用。而SK海力士M14預(yù)計(jì)在明年第四季才有少量投片,較大規(guī)模的投片將在2016年才會(huì)浮現(xiàn)。美光也啟動(dòng)臺(tái)灣R2廠部分空間。

 

臺(tái)資廠商的產(chǎn)能擴(kuò)充相對(duì)謹(jǐn)慎,擴(kuò)廠步伐步步為營(yíng),以避免過去失控性擴(kuò)張。南亞科總經(jīng)理高啟全強(qiáng)調(diào),此次投資400億元臺(tái)幣建廠,只是為了月產(chǎn)能維持在6萬片規(guī)模,原先構(gòu)想將5~6萬片都升級(jí)到20nm,但是資金需求量劇增至600億臺(tái)幣而將投資規(guī)??s減。華亞科也啟動(dòng)美亞廠,維持現(xiàn)有產(chǎn)量。

 

DRAM廠的工藝升級(jí)與產(chǎn)品比重分配,也將影響供需、價(jià)格。韓系DRAM廠25nm工藝在2014年下半年已邁入成熟期,無論良率與投片規(guī)模都成為DRAM主流規(guī)格。至于20nm工藝,三星已進(jìn)入驗(yàn)證階段,良率表現(xiàn)穩(wěn)健,預(yù)計(jì)年末產(chǎn)出比例將逼近60%,仍是DRAM廠中的技術(shù)領(lǐng)先者。SK海力士預(yù)計(jì)在明年第二季初進(jìn)入市場(chǎng),營(yíng)收雖然受到價(jià)格下滑而減少,但工藝升級(jí)25nm所帶來成本降低,依然讓SK海力士有著穩(wěn)健的獲利。美光集團(tuán)因?yàn)椴簧佼a(chǎn)能比重還在30nm工藝以下,20nm工藝升級(jí)也不如預(yù)期。

 

臺(tái)系廠商部分,南亞科目前在30nm微縮工藝順利導(dǎo)入,預(yù)計(jì)產(chǎn)出年末將超過50%,成本下降同時(shí)預(yù)計(jì)獲利也會(huì)持穩(wěn),20nm工藝預(yù)計(jì)明年才有機(jī)會(huì)導(dǎo)入量產(chǎn)行列。力晶受到標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存價(jià)格下滑影響,營(yíng)收衰退7.9%,但25nm工藝已進(jìn)入試產(chǎn)階段,最快年末可以導(dǎo)入量產(chǎn)。華邦由于無標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存產(chǎn)品產(chǎn)出,多以利基型內(nèi)存與移動(dòng)內(nèi)存為主,加上整體產(chǎn)能量滿載,營(yíng)收僅小幅衰退1.3%。

 

此外,在智能手機(jī)市場(chǎng)不斷擴(kuò)大的同時(shí),2015年移動(dòng)內(nèi)存市占也逼近全球市場(chǎng)的40%,相較于標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存27%的占比,移動(dòng)內(nèi)存已躍升全球DRAM市場(chǎng)主流產(chǎn)品。從移動(dòng)內(nèi)存做觀察,2015年主流規(guī)格仍是LPDDR3,產(chǎn)出量達(dá)60%以上,而新規(guī)格LPDDR4將首度應(yīng)用在旗艦智能手機(jī)機(jī)種,無論省電機(jī)制與頻率更勝LPDDR3,預(yù)計(jì)2015年市占率將達(dá)到15%。

中國(guó)踏上自有DRAM之路

 

三星半導(dǎo)體與SK海力士今年第一季度自有品牌內(nèi)存市占率各為43%與27%,韓系廠商合計(jì)穩(wěn)占全球市場(chǎng)七成市占,而美系廠商掌握將近22.5%,臺(tái)系廠商瓜分剩余的5.4%。目前,三巨頭壟斷格局未改,市占率的餅圖分布輕易不會(huì)改變,除非有新競(jìng)爭(zhēng)者加入。

 

與此同時(shí),DRAMeXchange統(tǒng)計(jì)顯示,2014年中國(guó)市場(chǎng)的DRAM消化量金額為102億美金,占全球營(yíng)業(yè)額約20%。其中移動(dòng)內(nèi)存在中國(guó)的營(yíng)業(yè)額更達(dá)到56億美金,占中國(guó)市場(chǎng)總金額的55%;標(biāo)準(zhǔn)型內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存也都分占中國(guó)DRAM的19%與11%。而中國(guó)筆記本電腦出貨達(dá)2500萬臺(tái),占全球14%;桌面計(jì)算機(jī)亦有3200萬臺(tái),占全球25%,也顯示出中國(guó)市場(chǎng)強(qiáng)勁的消費(fèi)潛力。DRAMeXchange指出,中國(guó)DRAM市場(chǎng)規(guī)模已達(dá)二座100K投片規(guī)模的半導(dǎo)體廠,往后的電子產(chǎn)品對(duì)內(nèi)存的需求只會(huì)越來越大,潛在產(chǎn)值超過百億美元之上。

 

 

《國(guó)際電子商情》2014各內(nèi)存產(chǎn)品在中國(guó)市場(chǎng)的份額
2014各內(nèi)存產(chǎn)品在中國(guó)市場(chǎng)的份額
 

 

因此,中國(guó)此刻正積極發(fā)展自有半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),意圖攪局DRAM產(chǎn)業(yè)。今年3月,中國(guó)武岳峰資本宣布以6.4億美元并購在美國(guó)上市的芯成半導(dǎo)體。此并購案雖為中國(guó)武岳峰資本主導(dǎo),但尚包含eTown MemTek Ltd.、清芯華創(chuàng)和華清基業(yè),同時(shí)也與具官方色彩的上海市創(chuàng)業(yè)引導(dǎo)基金有合作,其中清芯華創(chuàng)也代表北京集成電路產(chǎn)業(yè)基金。因此,此次收購意味著上海與北京二大基金的合作,加上去年近期中國(guó)官方正式宣布了金額高達(dá)1200億人民幣的半導(dǎo)體政策,中國(guó)政府已在整合技術(shù)能量,往完整的DRAM之路積極邁進(jìn)。

 

中國(guó)政府還與臺(tái)灣DRAM業(yè)者洽談合作機(jī)會(huì),希望能藉由整合技術(shù)、人力并與國(guó)際接軌的優(yōu)勢(shì),并結(jié)合中國(guó)市場(chǎng)規(guī)模與臺(tái)灣生產(chǎn)技術(shù),大幅降低每年中國(guó)市場(chǎng)DRAM的入超現(xiàn)狀。據(jù)悉,目前有六個(gè)地方政府積極爭(zhēng)取設(shè)立DRAM廠,而中國(guó)中央政府將會(huì)選出其中一個(gè)地方政府設(shè)廠,整合上游廠商發(fā)展出具中國(guó)自有的技術(shù)并綁定中、下游的產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu)成為一條龍的供應(yīng)鏈,形成群聚效應(yīng)。

 

不過,面對(duì)中國(guó)進(jìn)軍DRAM市場(chǎng)的雄心,臺(tái)灣DRAM雙雄雙雙指出,由于欠缺關(guān)鍵技術(shù),“未來五到十年,不會(huì)對(duì)臺(tái)灣造成威脅。”華亞科的沈道邦表示,“DRAM產(chǎn)業(yè)仰賴資金、人才與技術(shù),目前技術(shù)都握在三大巨頭手上,分別是三星、海力士及美光,大陸的DRAM發(fā)展藍(lán)圖尚不明確,但從零開始,至少得花五到十年。”南亞科的李培瑛也認(rèn)為,高技術(shù)門檻帶來了較高的難度,“唯一變數(shù)是,若三大廠愿意技術(shù)轉(zhuǎn)讓,并且提供蓋廠、工藝到驗(yàn)證等支持,三年后就必須小心。”李培瑛繼續(xù)表示,南亞科的應(yīng)對(duì)之道是改善產(chǎn)品組合、成本,舉例來說,30nm微縮產(chǎn)品今年首季占總產(chǎn)出五分之一,下半年將增至一半,未來升級(jí)20nm技術(shù),產(chǎn)品組合將更多元。

 

產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
君耀電子(Brightking)
RUBYCON電容原裝現(xiàn)貨供應(yīng)商
HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
傳感器
飛思卡爾開發(fā)工具 Freescale
嵌入式解決方案
自動(dòng)化工業(yè)系統(tǒng)
網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)
行車記錄儀
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