eMMC、SSD漲價缺貨持續(xù)發(fā)酵，壓力緩解還看3D NAND Flash？

“從今年第二季度開始，NAND Flash開始漲價，整個市場NAND Flash供應吃緊，導致與NAND Flash相關(guān)的產(chǎn)品如eMMC、SSD以及高容量的eMCP漲聲一片。平均漲幅達到了20%以上。” 深圳市江波龍電子有限公司行業(yè)客戶部副總裁王偉民在接受國際電子商情采訪時表示，目前已經(jīng)接近Q3的尾巴，但還沒有看到緩解的趨勢，依然維持在比較緊繃的狀態(tài)，而Q4又是傳統(tǒng)的旺季，預計到Q4還是一個比較緊張的狀態(tài)。

此前亦有消息稱，隨著旺季即將到來， Flash原廠對市場供應的Wafer數(shù)量在減少且價格提高了15%。另有業(yè)者指出，美國品牌64Gb MLC規(guī)格NAND Flash現(xiàn)貨價已漲到2.8～2.9美元，128Gb MLC規(guī)格NAND Flash現(xiàn)貨價亦漲到3.8美元以上，5月以來平均漲幅介于8～14%。

Nand Flash缺貨為哪般？將加劇下游市場洗牌？

在業(yè)界看來，此輪NAND Flash的缺貨主要在于兩方面的原因：一方面是上游芯片廠持續(xù)將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)生產(chǎn)3D NAND，導致2D架構(gòu)NAND Flash產(chǎn)出量下滑；另一方面是，移動智能設備和網(wǎng)絡數(shù)據(jù)中心、服務器存儲需求持續(xù)快速增長，尤其是智能型手機/平板搭載eMMC和客戶端/服務器用SSD需求翻倍增加，持續(xù)消耗大量NAND Flash產(chǎn)能。

王偉民告訴記者，上游的NAND Flash廠商對3D制程轉(zhuǎn)換預期比較高，今年最大的投資在于將產(chǎn)能移轉(zhuǎn)至3D NAND，除了三星，包括東芝、SK海力士、美光、SanDisk以及Intel等業(yè)者都在推進3D NAND。但在實際的轉(zhuǎn)換過程中并不是很順利，良率不高，除了三星良率穩(wěn)定提升外，其它廠商3D NAND的產(chǎn)出仍然有限。至于2D NAND，由于產(chǎn)線已轉(zhuǎn)到3D NAND，2D NAND的產(chǎn)線被壓縮，受到3D NAND產(chǎn)能排擠的影響，市場供應量持續(xù)減少中。而另一方面，OEM客戶對新制程的導入需要時間，并沒有那么快，比如手機類至少需要3個月，PC類可能需要超過6個月的導入時間。這導致很多項目會用回2D NAND，導致2D NAND的產(chǎn)品缺口較大。

王偉民進一步稱，從需求角度看，SSD今年的需求上升比較快，因為價格已經(jīng)到了一個比較低的水位，120G-128G SSD價格區(qū)間在199-299元；而最受歡迎的240G-256G SSD價格區(qū)間在299-499元。而此前，299元只能買到120G 容量，如今卻能買到240G的容量，市場已經(jīng)到了一個爆發(fā)點。他直言，目前PC端SSD的采用已經(jīng)突破了30%，而去年不到25%，預計今年筆記本電腦市場對SSD的采用率會超過50%。另外，手機市場的需求也越來越旺盛，而且對內(nèi)存容量需求也不斷走高。他指出，隨著手機攝像頭像素的不斷提升，對大容量eMMC的需求增長也非?？?。“目前入門級手機搭載的內(nèi)存已經(jīng)到16G，國內(nèi)很多手機如小米、魅族、樂視、OPPO、VIVO、華為等采用的閃存芯片已經(jīng)以32G、64G為主了，高端一點的達到128G，蘋果新一代iPhone甚至達到了256G，這推動了大容量NAND Flash的需求。”

深圳佰維存儲科技有限公司銷售經(jīng)理葉士剛也表示，今年NAND Flash缺貨的主要原因，一是3D Nandflash制程的轉(zhuǎn)換；二是手機出貨量沖的很高，尤其是在印度和非洲市場的銷量非常好；三是今年機頂盒在國內(nèi)市場的增長很快。

至于此輪缺貨是否存在少數(shù)企業(yè)投機囤貨的現(xiàn)象，王偉民稱不排除會有這樣的情況，但即便有也是一個短期的行為。一是今年的缺貨時間較長，從Q2陸續(xù)缺貨到現(xiàn)在，很少有人可以囤到足夠的貨；二是從往年的情況來看，NAND Flash閃存、DRAM的價格波動較大，漲價很少會持續(xù)超過3個月。王偉民指出，一個企業(yè)靠囤貨去獲取利益，這并不是一個可以良好發(fā)展的模式，既會傷害到客戶，也不利于企業(yè)長久發(fā)展。當缺貨發(fā)生時，關(guān)鍵是要順應客戶的需求去找平衡點。

隨著Flash原廠對市場供應的Wafer數(shù)量減少， NAND Flash價格也一直上漲。“不同的容量，漲價幅度不同，有些漲價超過20%，有些超過了30%，平均來講，漲價幅度在20%以上。大容量漲價幅度相對小一點，小容量漲價較多。”王偉民稱，實際上在今年年初，晶圓廠處于供過于求的狀態(tài)，面臨著成本壓力和獲利的問題。不過，隨著缺貨的發(fā)生，目前來看，他們開始獲利。這才是一個比較良性的生意模式。

目前，主芯片、液晶屏、存儲芯片這三大件都處于緊缺狀態(tài)。王偉民直言，目前屏缺貨最為嚴重，其生產(chǎn)周期，尤其是液晶玻璃的生產(chǎn)周期需要一定的時間，產(chǎn)能提升應該沒有這么快。MTK的主芯片已經(jīng)缺了一陣子，據(jù)說9月份會有改善，目前可能比之前有所緩解，但看起來還是比較緊張。這幾大件的缺貨已經(jīng)讓很多生產(chǎn)廠商處于保守階段，不敢輕易接單。王偉民認為，對生產(chǎn)廠商來講，隨著缺貨的持續(xù)發(fā)酵，資源會流到一些核心的重要客戶上，從而加劇市場洗牌。

此輪缺貨何時休？

值得注意的是，目前已處于Q3，傳統(tǒng)的消費類產(chǎn)品的旺季已經(jīng)到來。傳統(tǒng)旺季一般從8、9月份開始，一直延續(xù)到第二年1月，但今年7月份訂單就開始增長。另外，蘋果新近推出的iPhone 7提高了NAND Flash的搭載量，同時非蘋果陣營下半年仍有許多新機上市，加上SSD銷量強勁。如是來看，NAND Flash市場供給吃緊情況仍將持續(xù)。但問題是，何時才能緩解呢？

“目前已經(jīng)接近Q3的尾巴，但還沒有看到緩解的狀態(tài)，依然維持在比較緊繃的狀態(tài)，而Q4又是傳統(tǒng)的旺季，預計到Q4還是一個比較緊張的狀態(tài)。甚至有人預估到明年Q1也無法緩解。”王偉民認為，蘋果iPhone7 銷售的好與不好，也會成為影響整個市場供求關(guān)系的關(guān)鍵，因為iPhone7若熱賣，必然導致Memory供應商砍掉其它的供應。他進一步分析稱，iPhone7 采用的內(nèi)存有32G/128G/256G三個版本，從整體市場來看，蘋果對Memory的消耗量占了全球NAND Flash存儲消耗量的近3成。另外，Android手機一直在成長，消耗的Memory也占近3成。如是，iPhone7與其他品牌智能手機新品上市后的銷售情況必然會影響NAND Flash的供求關(guān)系。

葉士剛也表示，此輪NAND Flash缺貨預計會持續(xù)到年底。“缺貨不可能一直這樣持續(xù)，各大各大NAND Flash原廠都在推進3D NAND Flash制程，而且投入已有一年多的時間。盡管目前3D NAND Flash的價格比較貴，市場還沒推開，但估計到今年底明年初會逐漸向市場供應。” 他說，3D NAND FLASH不僅能夠增加容量，而且讀寫速度快，耗電量更低，還可以將成本控制在較低水平。3D技術(shù)不僅使產(chǎn)品性能至少提升20%，而且功耗可以降低40%以上。市場導入會有一個過程。

未來內(nèi)存市場將如何走？

目前，手機市場是對存儲的消耗最大，并持續(xù)往高速、高容量方向發(fā)展。對于Nand Flash相關(guān)產(chǎn)品未來的市場發(fā)展走勢，王偉民認為主要有以下幾大方向：

一是，手機端的eMMC在往高速、大容量方向走，SSD在往小封裝、小尺寸方向發(fā)展，兩者正在慢慢在融合。市場上有廠商，包括江波龍都有推出BGA的SSD，就是芯片大小的SSD產(chǎn)品，這是一個比較典型的融合，未來可能會推PCI-E接口的 BGA SSD。“在新一代iPhone上，有采用NVME PCIe SSD存儲系統(tǒng)，其實PCIe存儲系統(tǒng)之前是用在電腦上的，目標就是追求高速、高容量和更大的存儲介質(zhì)。”王偉民認為，未來，不管什么類型的存儲介質(zhì)，eMMC也好，SSD也罷，概念不會像原來那樣界定清晰，可能都會被采用，或者可能就是一個NVME接口標準的存儲設備。比如平板電腦，可能用SSD，也用eMMC，高端一點的產(chǎn)品用SSD，低端的用eMMC，只是針對的用戶群不一樣。

二是，手機端有推進所謂的UFS的產(chǎn)品，速度已經(jīng)達到了固態(tài)硬盤的速度。目前一些旗艦機型有搭載，明年一些中端機型也會搭載UFS產(chǎn)品。

目前，在一些旗艦手機里面，已經(jīng)采用UFS產(chǎn)品，如三星 Galaxy S7，小米5，魅族MX6、樂Max 2、一加手機3等采用了UFS2.0閃存。UFS 2.0是新一代閃存存儲標準，是eMMC的下一代產(chǎn)品。眾所周知，在手機興起的這幾年中，手機的閃傳規(guī)格有了很大的提高，eMMC規(guī)格的標準從eMMC 4.3標準逐步發(fā)展到eMMC 5.1標準，再到今天的UFS 2.0閃傳標準，實際上都是在進步和提升，UFS 2.0閃傳標準有著比eMMC 5.1更快的讀取性能。

據(jù)了解，eMMC 4.4的讀取速度大約為104MB/s、eMMC 4.5則為200MB/s，性能在當時是十分優(yōu)秀的；三星2013年7月29日開始量產(chǎn)的行業(yè)首款eMMC 5.0存儲產(chǎn)品，其讀取速度為400MB/s，但是因為使用的是8位并行界面，因此性能潛力已經(jīng)基本到達瓶頸，以eMMC 5.1規(guī)范來說，其理論帶寬為600MB/s左右，性能的大提升基本是不可能的了。而UFS 2.0閃存讀寫速度可以高達每秒1400MB，不僅比eMMC有更巨大的優(yōu)勢，而且它甚至能夠讓電腦上使用的SSD也相形見絀。

王偉民透露，江波龍今年底明年初會推出UFS產(chǎn)品。“我們的UFS產(chǎn)品的樣品已做過展示，會在今年底明年初量產(chǎn)。而且，我們計劃把3D NAND Flash產(chǎn)品整合進UFS產(chǎn)品推向市場。”

另外，在9月初江波龍正式推出了基于3D TLC NAND Flash的SSD。“明年，我們也會把3D TLC NAND Flash導入到eMMC和UFS這類嵌入式產(chǎn)品里面。”王偉民稱，從DRAM內(nèi)存的方向來看，PC已經(jīng)往DDR5方向走了，或者HBM（High Bandwidth Memory）這種寬頻的DRAM，不過，目前的主力還是DDR4，DDR5還沒有大量產(chǎn)出。從手機市場來看，目前的主力還是DDR3，但旗艦機型已經(jīng)到DDR4了，明年中高端手機搭載DDR4的比例會越來越高。

三是，容量、速度是未來手機對存儲介質(zhì)比較關(guān)注的重要因素，因為差異化是手機追求的方向，這種差異化可能是屏的差異，如2K/4K屏，可能是攝像頭、大的存儲等方面的差異。王偉民稱，到今年下半年可能不少旗艦級手機機會支持256G的大容量。今年，32G、64G是主流容量，明年64G可能還是主流容量。明年3D NAND Flash產(chǎn)品會逐漸上市，其單顆芯片容量最低32G。不過，低容量的Nandflsh還是會持續(xù)增長，對64G的需求也會繼續(xù)增加。

四是，對存儲的需求量增大，使得大家需求更多的存儲空間，手機可能回歸重新支持存儲卡擴展。“目前，很多智能手機都可以支持存儲卡的擴展，如三星的note7，紅米的note 4。”王偉民說，實際上，在智能手機發(fā)展初期，內(nèi)存在2G、4G存儲的時候，存儲卡是一個很重要配置，但隨著存儲容量的增大，最近一兩年手機存儲陸續(xù)以內(nèi)置式為主了，不額外提供存儲空間。但今年來看，又陸續(xù)有手機回歸到支持存儲卡擴展，而且其本身的內(nèi)存容量達到了32G。