三星晶圓代工集團營銷和業(yè)務發(fā)展高級副總裁洪浩表示：“我們正在進入批量生產(chǎn)，2016年我們將迎來10nm節(jié)點的第一批代工業(yè)務。”
三星表示，新型10LPE工藝使用先進的3D晶體管結(jié)構(gòu)，與14納米工藝相比，對工藝技術(shù)和設(shè)計進行進一步改進，面積效率增加30%，性能提高27%，功耗降低40%。此外，三星還在聲明中補充，首款使用10LPE工藝產(chǎn)品將于明年初上市。隨后，明年年底三星將推出10LPP工藝。
韓國《電子時報》本月報道稱，三星將成為高通驍龍830高端處理器的獨家代工商，這些芯片都將使用10納米工藝生產(chǎn)，而有望于明年初發(fā)布的新款Galaxy S手機將有半數(shù)使用這種芯片。
實際上，去年11月底，三星就在一次展會上率先曝光自家研發(fā)的10nm工藝晶圓，這也是當時產(chǎn)業(yè)界首次秀出10nm工藝wafer。根據(jù)IC Insights數(shù)據(jù)顯示，預計三星電子將在2016年晶圓代工廠營收中排名第五。
三星電子負責人洪浩還指出，未來將跳過與對手TSMC和Globalfoundries計劃的浸沒光刻技術(shù)的7nm節(jié)點，目標是在2018年年低利用EUV光刻技術(shù)實現(xiàn)7nm工藝量產(chǎn)。
摩爾定律代言人英特爾曾表示，自家的10nm工藝具有54nm柵極間距，能夠比任何競爭對手更密集地封裝晶體管。分析師認為，不能和三星、臺積電的10納米相提并論。
已獲得iPhone 8大部分芯片訂單的臺積電則認為，10nm芯片正在有序進行明年初量產(chǎn)在即，10nm只是一個過渡的工藝節(jié)點，真正的挑戰(zhàn)在于7納米工藝。臺積電工藝圖顯示，他們將在2017年底率先進行量產(chǎn)工作。
另一家晶圓代工廠商Globalfoundries早在9月就宣布將跳過10nm節(jié)點，計劃在2018年底量產(chǎn)7納米工藝，目前重點照顧FD-SOI的生態(tài)培養(yǎng)和建設(shè)。
中國代工廠商中芯國際日前投建14納米大尺寸晶圓廠房，2015年與高通和IMEC合作研發(fā)14納米工藝，預計2018年進行量產(chǎn)。
