在其最新版年度分析報告中，IC Insights再次描述了中國發(fā)展集成電路（IC）產(chǎn)業(yè)的三個階段。第三階段自2010年起，從2014年中國政府加強對半導體產(chǎn)業(yè)支持之后到現(xiàn)在，中國半導體產(chǎn)業(yè)已經(jīng)取得了不少成就，但這一輪發(fā)展也帶來了很多弊端。
根據(jù)中國國務院2015年5月頒布的“中國制造2025”計劃，中國政府對半導體產(chǎn)業(yè)的長期目標就是能夠實現(xiàn)相當程度的集成電路自給自足。“中國制造2025”中給中國集成電路自給率的指標為2020年達到40%，2025年達到70%。
事實上，無論是40%，還是70%，只要市占率達不到100%，說什么實現(xiàn)集成電路的自給自足就是癡人說夢（譯者注：原文為naive）。對半導體產(chǎn)業(yè)來說，無論是價值不高的芯片（例如混合模擬器件）、材料（例如制造芯片的專用化學品或氣體）或某種封裝型號供應不上，都會導致整個電子系統(tǒng)無法生產(chǎn)銷售。
一個例子可以說明為何這種思路很幼稚。在1980年代早期，美國政府試圖推行一項政策，要求供應軍用芯片的產(chǎn)業(yè)鏈企業(yè)能實現(xiàn)全部國產(chǎn)化，即從晶圓與封裝材料、半導體設備到芯片制造、封裝測試，每個環(huán)節(jié)都至少有一家美國公司。在30多年前，芯片制造產(chǎn)業(yè)遠不如現(xiàn)在復雜，但彼時半導體產(chǎn)業(yè)鏈也已經(jīng)延伸為幾千個環(huán)節(jié)，美國政府最終因為無法保證每一環(huán)節(jié)都至少有一家美國廠商而不得不廢止了該政策。對半導體產(chǎn)業(yè)鏈來說，市占率達不到100%，談自給率就沒有意義。
中國制造2025給中國半導體產(chǎn)業(yè)設定目標的實現(xiàn)需要兩個基本要素：資金與技術。IC Insights認為，資金與技術同樣重要，任何一方面不夠強，都沒有機會實現(xiàn)2025年設定的目標。
輿論一致認為，資金不會成為中國半導體產(chǎn)業(yè)實現(xiàn)2025年目標的障礙。中國政府批準了一項近200億美元的集成電路產(chǎn)業(yè)基金（譯者注：即國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金，俗稱“大基金”，一期規(guī)模1380億人民幣），各省及地方政府在半導體方面投入的產(chǎn)業(yè)基金與私人投資基金約為1000億美元。投入到集成電路產(chǎn)業(yè)的數(shù)百億美元的資金足夠建10條以上高產(chǎn)能的12英寸芯片制造廠，不管中國半導體產(chǎn)業(yè)長期發(fā)展狀況如何，短期來看，這幾年半導體設備廠商都將受益于這波瘋狂的芯片制造產(chǎn)能投資。
IC Insights相信，中國不具備填充新建產(chǎn)能所需的集成電路技術是其實現(xiàn)2025年半導體產(chǎn)業(yè)目標的一大障礙。從2014年開始，中國試圖通過收購國外半導體公司的方式來得到技術，中國也成功收購了芯成科技（ISSI）與豪威科技（OmniVision）。但現(xiàn)在絕大多數(shù)外國政府對中國在集成電路產(chǎn)業(yè)上的野心十分警惕，中國資本收購國外IC公司的難度已經(jīng)非常高。IC Insights甚至認為，中國通過收購國外IC公司來得到技術的時間窗口已經(jīng)關閉。
雖然已公布的投入到芯片制造上的資金很多，但這些新建晶圓產(chǎn)線中所用的技術工藝，每一條都比國外主要競爭對手至少差兩代以上（無論是以現(xiàn)在的時間點，還是以建成投產(chǎn)后時間點來比較，結果都一樣）。
例如：
武漢新芯（2016年7月被清華紫光收購，并將武漢新芯納入到其子公司長江存儲）—32層3DNAND技術；
福建晉華集成電路—32納米DRAM技術；
上海華力（HLMC）—28納米邏輯工藝技術。
雖然中國宣布在建的晶圓廠讓中國半導體產(chǎn)業(yè)資金看起來都不夠用了，但沒有一家在建產(chǎn)線在其所在領域掌握了與市場上領先者競爭的技術。
最近有不少報道說，這些新建晶圓制造產(chǎn)線的中國公司準備大量招聘三星、海力士、英特爾中國工廠的IC工程師。這種現(xiàn)象被描述為中國公司“自行研發(fā)IC技術”的一種方式，即利用這些美韓企業(yè)前雇員的IC工藝知識與經(jīng)驗來為中國公司做貢獻。
IC Insights卻認為，采用這種方法來“發(fā)展”IC工藝技術十分危險。
在中芯國際首條產(chǎn)線量產(chǎn)的第二年，即2003年臺積電一紙訴狀將中芯國際告上了法庭。臺積電指控中芯國際雇傭了100多名前臺積電員工，并誘使這些員工向中芯國際泄露臺積電的商業(yè)機密。臺積電宣稱，中芯國際侵犯了臺積電五項IC工藝技術專利（后臺積電將指控范圍擴大到八項專利）。
2005年，中芯國際與臺積電達成和解。中芯國際的代價是支付臺積電1.75億美元罰款，并將中芯國際8%的股份授予臺積電。
存儲器事關一國半導體產(chǎn)業(yè)興衰。一旦中國存儲器工廠實現(xiàn)量產(chǎn)，可以預見到在第一時間拿到中國廠商的DRAM與3DNAND以后，三星、海力士、美光、英特爾、東芝和西部數(shù)據(jù)（閃迪）的反向工程團隊會全力以赴進行反向分析，以尋找中國廠商侵犯其專利的證據(jù)。IC Insights確信，由于上述幾大存儲器廠商在DRAM與NAND閃存制造生產(chǎn)方面的歷史已達數(shù)十年，存儲器技術專利申請眾多，存儲器產(chǎn)品線拓展很寬，沒有新廠商能夠在不侵犯現(xiàn)有專利的情況下發(fā)展處新型的DRAM與NAND技術。
2016年，中國集成電路市場規(guī)模為1120億美元，其中由中國（包含國外公司在中國的工廠）自己生產(chǎn)制造的集成電路市值占其市場規(guī)模的比例為11.6%，比5年前的2011年市占率僅提升不到兩個百分點。雖然從2016年到2021年，中國IC制造年復合增長率被預測為18%，但2016年中國IC制造業(yè)規(guī)模只有130億美元，基數(shù)非常低。
根據(jù)中國新建IC產(chǎn)線以及國外IC制造廠商（例如英特爾、三星等）資本支出狀況，IC Insights相信，中國集成電路市占率到2025年會有顯著的提升，但遠不能達到中國制造2025規(guī)劃中設定的目標。如圖所示，IC Insights預計，2020年中國集成電路全球市占率可達17%，2025年市占率可達25%，這兩個數(shù)字均不到中國制造2025規(guī)劃中設定目標的一半。
