美光反擊大陸挖角，在臺灣提告百人
美光在去年底曾寄存證信函給大批從美光陣營跳槽至陸廠，或協(xié)助大陸進行研發(fā)的聯(lián)盟廠商，此次又正式透過檢調(diào)單位協(xié)助，訴諸法律行動，提告百人，頻有動作意在防止相關營業(yè)和技術機密遭竊取。
美光已經(jīng)證實確已向檢調(diào)單位提出重要信息遭盜用，并配合檢調(diào)單位進行調(diào)查，但因進入司法調(diào)查程序，對到底有多少人遭到調(diào)查，目前暫無法對外提供。
但紫光集團澄清，目前挖角前華亞科的員工多是建廠相關事務人員，紫光集團決定朝自主研發(fā)DRAM、儲存型閃存（NAND Flash）等，目前重心先投入3D NAND Flash研發(fā)。
消息人士透露，這波遭到美光反制，透過司法途徑對從美光并購后的華亞科和瑞晶員工展開搜索行動，應是已掌握相關人員竊取營業(yè)和技術數(shù)據(jù)跳槽至大陸公司或協(xié)助大陸DRAM研發(fā)。
遭到搜索的相關人員主要集中在之前的華亞科員工。 據(jù)了解，在美光提出并購華亞科全數(shù)股權后，前后已有近200位員工跳槽至大陸合肥長鑫、紫光集團和福建晉華等公司，主要原因系大陸相關發(fā)展DRAM公司祭出比臺灣二至三倍高薪，全力挖角。
稍早包括三星、SK海力士（SK Hynix）也同樣寄出存證信函給跳遭至陸廠的員工，不過因主要成員多數(shù)來自臺廠，且后續(xù)挖角行動不斷，讓美光感到事態(tài)嚴重，決定透過司法途徑正式提告，希望藉此防止技術和營業(yè)秘密遭陸廠剽竊。
美光展開司法反制行動，確已收到強大恫嚇和阻撓陸廠開發(fā)DRAM腳步。 據(jù)了解，跳槽至福建晉華負責研發(fā)利基型DRAM的多位重要成員，也是這次遭到調(diào)查和限制出境的對象；由福建晉華出資設在聯(lián)電南科廠的試產(chǎn)線已暫時停止，正由檢查人員進行調(diào)查。
臺灣邏輯芯片（PLD）人才，恐成大陸下個挖角目標
大陸已將半導體產(chǎn)業(yè)列為國家重點發(fā)展產(chǎn)業(yè)，并揭示到2020年自制率要達到百分之五十，到2025年自制率更推升至百分之七十五。
大陸各省為爭取國家產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金挹注，也積極朝自建晶圓廠目標前進，發(fā)展目標除了內(nèi)存外，還包括應用范圍更廣的邏輯芯片。
據(jù)統(tǒng)計，大陸目前宣布投入興建十二寸晶圓廠投資多達26件，其中已有十二座進入建廠；大陸全力發(fā)展半導體的企圖，已讓全球不敢小覷。
陸廠為達相關政策目標，不惜砸重金，搶人才、搶技術。 其中DRAM產(chǎn)業(yè)被列為國家政策指針廠紫光集團，已相繼宣示在武漢及南京各自興建年產(chǎn)卅萬到卅五萬片的內(nèi)存生產(chǎn)重鎮(zhèn)；合肥長鑫和福建晉華也都相繼展開建廠行動。
但DRAM目前技術只剩三星、SK海力士和美光三大廠，盡管陸廠大手筆挖角，但在三大廠反制下，研發(fā)時程恐難如預期在明年大舉投入DRAM生產(chǎn)，倒是NAND Flash突破防線機率高。
至于被列為邏輯芯片指針中芯，近來面臨廿八奈米良率一直無法突破，也把挖角行動伸向臺廠，雖然臺廠中的臺積電等向來對防止技術外流做了極萬全的防護，但人才跳槽是最難防，如果對岸處心積極要挖角，也有可能突破防線，目前臺灣在晶圓代工雖取得全球領先優(yōu)勢，但還是得提防對岸猛烈的挖角行動。
在全球主要三大DRAM廠三星、SK海力士及美光全力防堵技術流向陸廠外，對岸挖角行動也伸向臺積電等邏輯芯片代工廠。
相關法律人士建議，企業(yè)防范未然，游戲規(guī)則訂清楚且應定期檢討。
企業(yè)防止營業(yè)秘密外流主要有三招：
第一，資方須嚴守營業(yè)秘密，可讓僅需了解相關工作的關鍵員工知道即可，同時，在制程方面，也應僅有少數(shù)人可完整了解，或各員工了解的營業(yè)秘密有所區(qū)隔。
第二，任何工作守則、承諾書等法律文件都應簽署，游戲規(guī)則定清楚且定期檢討。
第三，機密的內(nèi)容應使用公司計算機與手機。
