需求端：MOSFET管采購(gòu)量放大
新能源汽車、充電樁變頻器、白家電變頻器消費(fèi)起量，讓中高端MOSFET管需求持續(xù)火爆；
Intel新一代處理器架構(gòu)取消FIVR，主板重新重視供電相數(shù)，新構(gòu)架CPU供電系統(tǒng)從4相重回10相左右，每相一般包括一個(gè)電感線圈（CHOKE）、兩個(gè)MOSFET（上橋、下橋作用、面積、通電時(shí)間不相同）和一個(gè)（或多個(gè)）電容構(gòu)成，致（中低壓）MOSFET管用量倍增，PC占中低壓MOSFET約40%的用量；
NVIDIA、超威顯卡發(fā)力，支持VR/AR，內(nèi)建USB 3.1 Gen 2或PCIe 3.0等高速數(shù)據(jù)傳輸接口，支持超高畫質(zhì)面板，要求電池續(xù)航力要延長(zhǎng)，單一系統(tǒng)內(nèi)建MOSFET數(shù)量大幅增加，與上一代平臺(tái)相較增加1～2成；
USB Type-C在PC、平板和手機(jī)上開始普及，電源開關(guān)頻率高，需求功率MOSFET管提供過壓及小功率電路保護(hù)。
供應(yīng)端：原廠轉(zhuǎn)單，產(chǎn)能抑制
英飛凌、TI等大型原廠已將MOSFET主力轉(zhuǎn)向汽車或工業(yè)用中高壓市場(chǎng)，產(chǎn)能也都移轉(zhuǎn)生產(chǎn)絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）、超接面（Super Junction）等新產(chǎn)品；
2013年占中低壓40%的MOSFET大廠瑞薩宣布退出該市場(chǎng)。相當(dāng)于臺(tái)灣前三大MOSFET廠尼克森、大中及富鼎一年的總出貨量；
指紋IC和CIS、PMIC擠壓8寸晶圓廠產(chǎn)能，能提供給MOSFET管的產(chǎn)能有限，上游硅晶圓wafer搶手，供應(yīng)商無法大動(dòng)作擴(kuò)大投片量；
中低壓由于下游應(yīng)用下滑以及價(jià)格下降，毛利率常年維持在20%以下（瑞薩退出前），國(guó)際大廠中低壓MOSFET產(chǎn)能有限，并無擴(kuò)廠計(jì)劃。
對(duì)于功率MOSFET而言，市場(chǎng)規(guī)模為60億美元左右，只有營(yíng)收穩(wěn)定在10億元以上才有可能通過自建8寸產(chǎn)線盈利，因此除了英飛凌等歐美大廠，臺(tái)灣與中國(guó)大陸大部分功率MOSFET器件Fabless都在Foundry 8寸線投產(chǎn)。
由于功率器件與普通MOS工藝除了挖深槽、背面減薄外等大部分工藝可通用（光刻、退火、重金屬等），因此功率MOS一部分產(chǎn)能被指紋識(shí)別芯片和PMIC、CIS 擠占，而一旦轉(zhuǎn)移產(chǎn)能，一時(shí)半會(huì)是沒法再移回來。
供應(yīng)鏈預(yù)計(jì)，2017年供需缺口在7%～15%左右。第四季度（Q4）是MOSFET管旺季，不排除還有再調(diào)漲空間。
Yole：2017功率MOSFET技術(shù)路線與市場(chǎng)預(yù)測(cè)
在2015年市場(chǎng)回落之后，2016年市場(chǎng)表現(xiàn)出復(fù)蘇跡象
2016年，依靠在汽車和工業(yè)市場(chǎng)銷售中的增長(zhǎng)，硅功率MOSFET全球市場(chǎng)規(guī)模超過了2014年。功率MOSFET在電能轉(zhuǎn)換產(chǎn)品中扮演著至關(guān)重要的角色，由于產(chǎn)品需求的不斷增長(zhǎng)，我們預(yù)計(jì)今后的市場(chǎng)將穩(wěn)步增長(zhǎng)。目前整個(gè)功率MOSFET的市場(chǎng)規(guī)模為62億美金，預(yù)計(jì)在2022年之前，市場(chǎng)將保持每年3.4%的增長(zhǎng)率。
2016年電動(dòng)汽車銷量高達(dá)2500萬輛，借此原因，功率MOSFET在汽車應(yīng)用市場(chǎng)的銷量占到整體的20%，超過了在計(jì)算機(jī)和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)應(yīng)用中的表現(xiàn)。鑒于世界范圍內(nèi)汽車數(shù)量的增加和消費(fèi)者對(duì)于電動(dòng)汽車使用方式的適應(yīng)，預(yù)計(jì)功率MOSFET在汽車應(yīng)用市場(chǎng)的銷量，今后五年內(nèi)將以5.1%的速度增長(zhǎng)。
功率MOSFET作為開關(guān)管，由于其低導(dǎo)通電阻和高速開關(guān)的優(yōu)點(diǎn)，被廣泛應(yīng)用于各種汽車電子設(shè)備中，包括制動(dòng)系統(tǒng)、引擎管理、動(dòng)力轉(zhuǎn)向和其它小型控制電路。在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的逆變電路部分，越來越多的硅MOSFET得到應(yīng)用（在價(jià)值和利潤(rùn)最高的電機(jī)驅(qū)動(dòng)逆變電路部分，由于大電流的需求，其實(shí)IGBT的應(yīng)用要遠(yuǎn)大于MOSFET）。MOSFET在電動(dòng)汽車和混合動(dòng)力汽車的小型嵌入式電源/電池管理方面，能完美的處理這種3-6KW的功率。他們?cè)谄囍?8V的DC/DC轉(zhuǎn)換器和其他的一些啟停逆變電路模塊中也被廣泛使用。借助Tesla引領(lǐng)的電動(dòng)汽車增長(zhǎng)，我們相信MOSFET在這部分的市場(chǎng)份額在未來5到10年內(nèi)將逐漸擴(kuò)大。
除汽車外，功率MOSFET的主要應(yīng)用領(lǐng)域還有無線移動(dòng)、音頻圖像、家電、醫(yī)療、計(jì)算和存儲(chǔ)、工業(yè)網(wǎng)絡(luò)與通信，可構(gòu)成開關(guān)電源DC/DC轉(zhuǎn)換器、交流適配器，車載充電設(shè)備，LED驅(qū)動(dòng)，屏幕背光逆變器。主要生產(chǎn)廠商包括英飛凌（Infineon）、安森美（On Semiconductors）、瑞薩（Renesas）、意法半導(dǎo)體、東芝、威世（Vishay）、AOS（Alpha & Omega Semiconductor）、恩智浦（Nexperia）、IXYS、羅姆（Rohm）。
即將到來的挑戰(zhàn)：碳化硅（SiC）與氮化鎵（GaN）
硅功率MOSFET技術(shù)已經(jīng)發(fā)展了二十年以上，從平面結(jié)構(gòu)到Trench柵，再到今天的Super junction，器件的尺寸和成本在技術(shù)的不停革新發(fā)展中得到了大幅減小，他們正被廣泛應(yīng)用于各種用電設(shè)備中。然而今天，器件性能就快到達(dá)硅材料的理論極限值。
為了追求更高的性能和更小的器件尺寸，新材料SiC和GaN逐漸開始進(jìn)入視野。鑒于越來越多的新企業(yè)在推廣SiC和GaN方案，相信這會(huì)讓整個(gè)功率半導(dǎo)體行業(yè)進(jìn)入一個(gè)新的臺(tái)階。但這并不意味著硅MOSFET的末日到來，回顧下雙極型晶體管(BJT)的發(fā)展以及過去二十年MOSFET的應(yīng)用領(lǐng)域，和如今日益增長(zhǎng)的市場(chǎng)總額，我們相信硅MOSFET仍會(huì)保留穩(wěn)固的市場(chǎng)。
在今后的5到10年里，在100至200伏的中低壓范圍，一些GaN器件會(huì)在高頻開關(guān)領(lǐng)域得到應(yīng)用，但份額不會(huì)太高。在600伏范圍的一些特定的應(yīng)用領(lǐng)域中，例如電動(dòng)汽車的供電系統(tǒng)，GaN和SiC器件將會(huì)得到廣泛使用。但是，由于可靠性和成本上的優(yōu)勢(shì)，硅MOSFET仍將占據(jù)絕大部分市場(chǎng)。
行業(yè)的平衡性--未來將會(huì)有一家企業(yè)來形成壟斷嗎？
我們來看2016年各企業(yè)的市場(chǎng)占有率。由于去年花巨資收購(gòu)了IR(International Rectifier)，英飛凌穩(wěn)坐市場(chǎng)排行第一的位置。同樣的，在并購(gòu)了仙童半導(dǎo)體(Fairchild)之后，安森美由之前的五名開外上升至第二。盡管瑞薩在消費(fèi)級(jí)市場(chǎng)和汽車領(lǐng)域擁有高占有率，仍只能排名第三。
這些市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)者們將會(huì)享受到規(guī)模效應(yīng)帶來的好處，獲得更大的利潤(rùn)率。而其他的小型公司，將傾向于Fabless的運(yùn)營(yíng)模式，尋求與晶圓代工廠的合作，如臺(tái)積電(TSMC)。Fabless企業(yè)也能更加靈活的轉(zhuǎn)向下一代技術(shù)，如SiC和GaN。同時(shí)，隨著中國(guó)和馬來西亞代工廠的加入，功率MOSFET制造和銷售的企業(yè)數(shù)量將會(huì)增加，器件價(jià)格也會(huì)逐漸下降。
注：臺(tái)灣：UTC(友順)、CET(華瑞股份公司)、ANPEC(茂達(dá))、NIKO-SEMI（尼克松微）；大陸：士蘭微、比亞迪微電子、光宇睿芯、芯朋微電子、樂山無線、韋爾半導(dǎo)體等
