據(jù)臺媒報道，目前臺積電的7nm布局最積極，近期臺積電更是轉變了7nm制程設備的采購策略，將應用材料(AppliedMaterials)、科林研發(fā)(LAM)、東京威力科創(chuàng)(TEL)、日立先端(Hitach)、中微半導體5大設備商均納入采購名單，致力平衡7nm制程設備商生態(tài)價格。

值得注意的是，中微半導體是唯一進入臺積電7nm制程蝕刻設備的大陸本土設備商。據(jù)悉，中微與臺積電在28nm制程時便已開始合作，并一直延續(xù)到10nm制程，以及現(xiàn)在的7nm制程。未來，中微也將與臺積電跨入下一世代5nm合作。此外，中微也將與聯(lián)電展開14nm工藝制程的合作。

為符合大陸半導體設備國產(chǎn)化的政策目標，2016年，有兩家大陸半導體設備商獲得國家集成電路產(chǎn)業(yè)基金(大基金)投資。其中一家便是中微半導體，獲得4.8億元投資；另一家是上海微電子設備(SMEE)。

今年4月，中微半導體CEO尹志堯在公共場合表示，目前中微半導體在全球各地已經(jīng)建置共計582臺刻蝕反應臺，并預期今年將增長至770臺。目前中微半導體產(chǎn)品已經(jīng)進入第三代10nm、7nm工藝，并進入晶圓廠驗證生產(chǎn)階段，即將進入下一世代5nm、甚至3.5nm工藝。

據(jù)尹志堯透露，過去幾年公司銷售維持30-35%增長率，預期2017年增長率將達到80%。2017年，中微銷售將達11億元人民幣，在此基礎上，未來十年將持續(xù)開發(fā)新產(chǎn)品，擴大市場占有率，中微的目標是：2020年20億元、2050年50億元，并進入國際五強半導體設備公司。

目前，中微有460多個介質刻蝕反應臺，并在海內外27條生產(chǎn)線上生產(chǎn)了約4000多萬片晶圓；同時，中微還開發(fā)了12英寸的電感型等離子體ICP刻蝕機；此外，中微還開發(fā)了8英寸和12英寸TSV硅通孔刻蝕設備，不僅占有約50%的國內市場，而且已進入臺灣、新加坡、日本和歐洲市場，尤其在MEMS領域擁有意法半導體（ST）、博世半導體（BOSCH）等國際大客戶。

在專利方面，中微共申請了超過800件相關專利，其中絕大部分是發(fā)明專利，目前有一半以上已獲授權。

公司董事長尹志堯博士簡介

尹志堯出生于北京，中學就讀于北京四中，本科及碩士分別畢業(yè)于中科大、北大，1980年赴美留學，獲得加州大學物理化學博士學位。先后在intel、LAM技術部門工作，1991年后一直在美國硅谷從事半導體行業(yè)，在世界最大的百億美元的半導體設備企業(yè)——美國應用材料公司擔任總公司副總裁，曾被譽為“硅谷最有成就的華人之一”，參與了美國幾代等離子體刻蝕機的研發(fā)，在半導體行業(yè)20多年，擁有60多項專利技術。然而在2004年，60歲的他依然放棄美國的百萬美元的年薪，沖破美國政府的層層審查，所有的工藝配方、設計圖紙都被美國沒收。帶領之三十多人的團隊回到中國，創(chuàng)建中微公司。