有錢(qián)沒(méi)貨，12寸wafer報(bào)價(jià)恐飆至1000美元

自去年開(kāi)始傳出硅晶圓缺貨漲價(jià)熱潮后，由于邏輯IC、離散組件等半導(dǎo)體產(chǎn)品在4～6寸、8寸及12寸產(chǎn)品有局部的替代性，造成這一波硅晶圓供需吃緊的狀況由12寸往6寸蔓延，只要12寸硅晶圓缺貨漲價(jià)的情況持續(xù)，預(yù)料整個(gè)半導(dǎo)體硅晶圓供應(yīng)鏈在未來(lái)一段時(shí)間，都將雨露均沾。

除了中國(guó)半導(dǎo)體廠大擴(kuò)產(chǎn)能帶動(dòng)需求外，ASIC、指紋識(shí)別、物聯(lián)網(wǎng)、車用電子等多方需求成長(zhǎng)，帶動(dòng)各大尺寸硅晶圓需求強(qiáng)勁?；旧希?2寸硅晶圓供不過(guò)求的情況，要在短期內(nèi)獲得紓解并不容易，除了硅晶圓建廠成本高外，過(guò)去8年，全球主要硅晶圓廠都虧怕了，業(yè)者擴(kuò)產(chǎn)普遍保守的情況下，更讓這波硅晶圓供不應(yīng)求時(shí)程大為拉長(zhǎng)。20170915-WAFER-1因?yàn)樯a(chǎn)硅晶圓的技術(shù)門(mén)坎高，特別是尺寸愈大的硅晶圓，不管在硅純度及產(chǎn)品平坦度的要求嚴(yán)格，新進(jìn)入者技術(shù)門(mén)坎高，而即便有6寸、8寸生產(chǎn)線實(shí)際練兵的業(yè)者，有較高的機(jī)率跨足，但也非短期能見(jiàn)成效，Sumco預(yù)估，最快明年第二季才有新產(chǎn)能釋出，且新產(chǎn)能增加的速度將非常緩慢。

此外，大尺寸硅晶圓在取得客戶認(rèn)證上的難度高，因此，一般半導(dǎo)體廠不太可能冒產(chǎn)品出錯(cuò)的風(fēng)險(xiǎn)去認(rèn)證既有前五大以外的新供貨商，而即便半導(dǎo)體廠愿意認(rèn)證新供貨商，新廠房的認(rèn)證期，也得要2～3年才能完成，這些門(mén)坎，都讓這一波硅晶圓價(jià)格上漲可望走得扎實(shí)且長(zhǎng)。

最缺的12寸硅晶圓，漲幅自然最大，今年逐季調(diào)整售價(jià)后，一般預(yù)估，今年平均漲幅可達(dá)2成以上水平，明年售價(jià)預(yù)估將至少會(huì)再上漲1～2成，而和12寸有局部替代性的8寸硅晶圓，今年平均漲幅預(yù)估可達(dá)1成，業(yè)者預(yù)估，明年也至少會(huì)有再上漲5～10％的水平。20170915-WAFER-2業(yè)界對(duì)于2018年全年缺貨有高度共識(shí)，在此一情況下，硅晶圓廠為了優(yōu)先滿足大客戶需求，已通知客戶若可先預(yù)付訂金，就可先鞏固產(chǎn)能及鎖定出貨價(jià)格。第3季平均價(jià)格來(lái)到70美元左右，第4季12寸則達(dá)到80美元，明年第1季供給端將出現(xiàn)將近10%的缺口，報(bào)價(jià)可能狂飆至100美元。

SiC晶圓料滿載，日廠拋出大規(guī)模擴(kuò)產(chǎn)計(jì)劃

日本材料大廠昭和電工(Showa Denko)9月14日發(fā)布消息宣布，將增產(chǎn)作為電源控制芯片材料的“碳化硅(SiC)外延晶圓(Epitaxial Wafer)”，目標(biāo)在2018年4月將其月產(chǎn)能自現(xiàn)行的3000片提高約7成至5000片，擴(kuò)產(chǎn)幅度暴增7成。昭和電工指出，此次增產(chǎn)對(duì)象為SiC外延晶圓中的高質(zhì)量產(chǎn)品“High-Grade Epitaxial(HGE)”。HGE的缺陷密度壓低至0.1個(gè)/cm2以下水平、當(dāng)前產(chǎn)線持續(xù)處于滿載狀態(tài)。

昭和電工指出，因近年來(lái)SiC外延晶圓持續(xù)獲得鐵道車輛、電動(dòng)車用急速充電站采用，故預(yù)估2020年其市場(chǎng)規(guī)模將擴(kuò)大至12億元人民幣。

日刊工業(yè)新聞15日?qǐng)?bào)導(dǎo)，昭和電工上述SiC外延晶圓增產(chǎn)計(jì)劃較原先規(guī)劃的時(shí)間提前半年，而昭和電工目標(biāo)是在2025年將全球市占率自現(xiàn)行的2成擴(kuò)大至3成的水平。

據(jù)報(bào)導(dǎo)，2016年全球SiC外延晶圓市場(chǎng)規(guī)模約6億元人民幣、2025年預(yù)估將擴(kuò)大至35.5億元人民幣。受此消息刺激，昭和電工股價(jià)飆漲，創(chuàng)約9年3個(gè)月來(lái)(2008年6月6日以來(lái))新高紀(jì)錄