三星電子今年的半導(dǎo)體資本支出大幅增加、增幅出乎市場意料之外，科技市調(diào)機(jī)構(gòu)IC Insights警告，這會(huì)讓3D NAND型快閃記憶體供給過剩，也扼殺了中國企業(yè)在3D NAND或DRAM市場大展身手的希望。電子設(shè)計(jì)模塊
IC Insights 14日發(fā)表研究報(bào)告指出，今年全球半導(dǎo)體資本支出有望成長35%至908億美元，其中三星今年的支出高達(dá)260億美元、遠(yuǎn)多于去年的113億美元，比英特爾、臺(tái)積電加總起來還要多。
IC Insights總裁Bill McClean指出，他追蹤半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)這37年來，從未看過如此積極的資本支出計(jì)劃，三星今年的支出規(guī)模，在半導(dǎo)體業(yè)界可說是史無前例。（圖為三星歷年支出統(tǒng)計(jì)）
該機(jī)構(gòu)預(yù)測，三星今年第4季的半導(dǎo)體資本支出將達(dá)到86億美元，占全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)支出總額(262億美元)的33%。與此同時(shí)，三星Q4的導(dǎo)體銷售額，對全球占比則將達(dá)16%。
IC Insights估計(jì)，三星今年的260億美元半導(dǎo)體支出當(dāng)中，140億美元會(huì)分配給3D NAND、70億美元分配給DRAM、50億美元分配給專業(yè)晶圓代工(用來擴(kuò)充10納米制程產(chǎn)能)。
三星今年的龐大資本支出，對未來影響極大。該機(jī)構(gòu)相信，3D NAND市場很可能會(huì)有一段供過于求的時(shí)期，除了三星大舉支出外，競爭對手(如SK 海力士、美光、東芝、英特爾等)也會(huì)跟著擴(kuò)充產(chǎn)能、以免喪失市占率。另一方面，三星大舉支出，也等于扼殺了中國在3D NAND或DRAM市場大展身手的希望。
