SEMI對(duì)今年半導(dǎo)體設(shè)備市場(chǎng)的樂觀看法，全球設(shè)備支出金額可望如先前推測(cè)般維持明顯的年增率，全年支出金額亦會(huì)創(chuàng)下歷史新高紀(jì)錄。SEMI臺(tái)灣區(qū)總裁曹世綸表示，雖然受到傳統(tǒng)淡季影響，10月份北美半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額連續(xù)4個(gè)月呈現(xiàn)下滑的趨勢(shì)，SEMI預(yù)估2017年整年度出貨金額與去年相較將有至少30%以上的成長(zhǎng)，并且對(duì)2018年的半導(dǎo)體設(shè)備出貨市場(chǎng)抱持樂觀看法。

法人表示，下半年半導(dǎo)體設(shè)備支出雖低于上半年，但今年全年半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額仍會(huì)創(chuàng)下新高，而且，明年上半年又將進(jìn)入設(shè)備支出旺季，包括無塵室工程設(shè)備廠漢唐及亞翔、晶圓傳載供應(yīng)商家登、設(shè)備代工廠京鼎及帆宣、半導(dǎo)體檢測(cè)廠閎康及宜特等半導(dǎo)體資本支出概念股，今年?duì)I運(yùn)表現(xiàn)將優(yōu)于去年，明年也可望比今年好。

根據(jù)SEMI資料，雖然10月份半導(dǎo)體設(shè)備出貨金額已連續(xù)4個(gè)月出現(xiàn)下滑趨勢(shì)，但仍然連續(xù)8個(gè)月超過20億美元。業(yè)者指出，近10年來已難見到超過6個(gè)月維持在20億美元規(guī)模以上的情況，這代表下半年來自于先進(jìn)制程設(shè)備升級(jí)及擴(kuò)建新生產(chǎn)線的需求仍然強(qiáng)勁。

今年存儲(chǔ)器廠的投資金額十分龐大，投資重點(diǎn)集中在3D NAND的制程與產(chǎn)能轉(zhuǎn)換的投資上，以及DRAM制程微縮的投資。

事實(shí)上，包括三星、東芝、SK海力士、美光等存儲(chǔ)器廠，第四季2D NAND產(chǎn)能移轉(zhuǎn)到3D NAND的速度正在加快，制程設(shè)備升級(jí)換新帶動(dòng)高端設(shè)備出貨轉(zhuǎn)強(qiáng)。DRAM部份現(xiàn)階段仍沒有擴(kuò)建新廠計(jì)劃，主要投資仍以20納米制程微縮至1x/1y納米為主。

在邏輯IC市場(chǎng)部份，英特爾、臺(tái)積電、三星等大廠已開始對(duì)明年的產(chǎn)能規(guī)劃進(jìn)行布局，英特爾計(jì)劃明年10納米進(jìn)入量產(chǎn)，臺(tái)積電及三星則是要搶在明年第一季量產(chǎn)7納米，對(duì)相關(guān)設(shè)備的龐大投資毫不手軟。