三星11月29日宣布開始大規(guī)模量產(chǎn)以第2代10nm FinFET制程技術(shù)(10LPP)為基礎(chǔ)的單芯片系統(tǒng)(SoC)產(chǎn)品,其搭配該單芯片系統(tǒng)的電子產(chǎn)品,也預(yù)計(jì)將在2018年首季問市。電子制作模塊
三星表示,10LPP技術(shù)針對低功耗產(chǎn)品所研發(fā),相較于第1代的10LPE在制程可使性能提高10%、功耗降低15%。該制程延續(xù)于已量產(chǎn)中的10LPE制程,將大幅縮短從開發(fā)到大量生產(chǎn)的準(zhǔn)備時(shí)間,并提供更高的初期生產(chǎn)良率,因此更具有市場競爭優(yōu)勢。
三星稱,預(yù)計(jì)將于2018年首季推出采用10LPP制程技術(shù)制造的電子產(chǎn)品。因?yàn)樵诰A處理上和10nm LPE有跟多共同點(diǎn),所以三星承諾不僅不會(huì)有跳票的情況發(fā)生,同時(shí)也會(huì)擴(kuò)展客戶數(shù)量。
為此,三星位于華城(Hwaseong)的S3工廠也為量產(chǎn)做好了準(zhǔn)備,目前正準(zhǔn)備加速生產(chǎn)10納米及其以下制程技術(shù)。
三星華城S3工廠
據(jù)了解,華城S3工廠是三星晶圓代工業(yè)務(wù)的第3座晶圓廠,其它兩座分別是位于韓國京畿道的器興(Giheung)的S1以及位于美國奧斯汀的S2。
根據(jù)規(guī)劃,三星的7納米FinFET制程技術(shù)與EUV(ExtremeUltraViolet)技術(shù)也預(yù)計(jì)將在S3晶圓廠中于2018年開始大量生產(chǎn)。
另據(jù)Engadget、ZDNet報(bào)道,由三星代工的高通驍龍845極大可能會(huì)運(yùn)用10LPP技術(shù),三星Galaxy S9搭載的Exynos 9810處理器將會(huì)使用該工藝。
有消息稱,三星8nm LPP制程工藝的技術(shù)驗(yàn)證工作也已完成,將于不久之后大規(guī)模量產(chǎn)。三星表示,相比于 10nm 制程,全新8nm制程的芯片不僅面積能縮減 10%,功耗也能降低10%。該工藝正式投產(chǎn)后,將會(huì)定位于高端旗艦市場。
有媒體報(bào)道稱,三星和高通也在推進(jìn)8nm工藝,首款產(chǎn)品(驍龍855或者服務(wù)器芯片)將在明年秋季推出。