據(jù)韓媒Digital Times報(bào)導(dǎo)，三星電子即將在華城廠區(qū)17產(chǎn)線附近的停車場(chǎng)空地增建1條新的EUV專用產(chǎn)線，最快2017年12月就會(huì)動(dòng)工，預(yù)定2019年啟用,將利用初期10納米技術(shù)生產(chǎn)DRAM，開業(yè)界先河。

韓國(guó)ETNews報(bào)道稱，三星華城Line 17工廠預(yù)計(jì)投資在2.5萬億到3萬億韓元之間，約合22-26.4億美元，以300mm晶圓計(jì)算，擴(kuò)建之后每月產(chǎn)能將提升3.5萬片晶圓，目前的產(chǎn)能約為4萬片晶圓/月。

三星華城廠區(qū)內(nèi)有DRAM、NAND Flash、晶圓代工等多種半導(dǎo)體產(chǎn)線，目前三星還在研議是否將這條EUV產(chǎn)線與其余7條原本的半導(dǎo)體產(chǎn)線、輸送帶連接運(yùn)行。

業(yè)界認(rèn)為，三星除了要在晶圓代工使用EUV設(shè)備，也有意將EUV設(shè)備用在DRAM生產(chǎn)，2019年領(lǐng)先同業(yè)量產(chǎn)1znm制程DRAM。

三星增建產(chǎn)線會(huì)在當(dāng)?shù)貛斫煌ㄘ?fù)荷，但最近華城市政府已通過交通影響環(huán)評(píng)審議，因此三星只需完成剩余的建廠申請(qǐng)行政流程，立刻就可以動(dòng)工。三星雖未明確公布將使用幾臺(tái)EUV設(shè)備，但業(yè)界推測(cè)應(yīng)在4~8臺(tái)。

皆為保住DRAM市場(chǎng)龍頭寶座

半導(dǎo)體大廠搶進(jìn)先進(jìn)制程，尤以10納米以下必須導(dǎo)入波長(zhǎng)只有13.5納米的極紫外光(EUV)，才能降低晶圓制造的光罩?jǐn)?shù)，縮短芯片制程流程。由于要價(jià)1.5億美元（折合新臺(tái)幣約45億元）的EUV設(shè)備，目前只有艾司摩爾(ASML)獨(dú)家供應(yīng)。

三星在2016年10月開始以現(xiàn)有的曝光設(shè)備反復(fù)刻畫電路量產(chǎn)18nm DRAM，至今尚未公布1ynm DRAM量產(chǎn)計(jì)劃，業(yè)界認(rèn)為三星已準(zhǔn)備好1znm量產(chǎn)技術(shù)，只是無法決定導(dǎo)入時(shí)間點(diǎn)。

熟悉三星電子情況的人士說，原則上三星的EUV機(jī)臺(tái)只會(huì)用在7納米晶圓代工，不過有些可以拿來生產(chǎn)DRAM。三星最可能以ASML生產(chǎn)的EUV機(jī)臺(tái)進(jìn)行量產(chǎn)，預(yù)料將裝設(shè)4~8臺(tái)EUV設(shè)備，但機(jī)臺(tái)價(jià)格動(dòng)輒數(shù)千億韓元，制程速度慢是最大缺點(diǎn)，三星能否獲利仍是未知數(shù)，。

專家預(yù)測(cè)，雖然導(dǎo)入EUV仍有幾項(xiàng)缺點(diǎn)，三星仍會(huì)考慮用EUV生產(chǎn)10納米DRAM，以維持市場(chǎng)龍頭寶座。前不久韓媒曾報(bào)導(dǎo)三星擬訂下ASML近90%的機(jī)臺(tái)，以阻礙臺(tái)積電等廠的量產(chǎn)進(jìn)度。

三星是全球DRAM霸主，市調(diào)機(jī)構(gòu)的資料顯示，2017年第3季三星在移動(dòng)設(shè)備與服務(wù)器DRAM市場(chǎng)的占有率各為58.3%、45.9%，DRAM的營(yíng)業(yè)利益率更高達(dá)62%。2016年下半年首先量產(chǎn)18納米DRAM，今年下半年將推進(jìn)至15納米，制程領(lǐng)先對(duì)手1至2年。

據(jù)韓媒報(bào)導(dǎo)，三星電子的半導(dǎo)體事業(yè)司令部已由器興移到華城。會(huì)長(zhǎng)權(quán)五鉉執(zhí)掌半導(dǎo)體暨設(shè)備解決方案事業(yè)部(DS)時(shí)期，權(quán)五鉉的辦公室位于器興廠區(qū)，社長(zhǎng)金奇南接任DS部長(zhǎng)后，每天上下班地點(diǎn)是華城廠區(qū)內(nèi)的半導(dǎo)體零組件研究大樓，業(yè)界認(rèn)為金奇南將會(huì)加強(qiáng)對(duì)系統(tǒng)半導(dǎo)體事業(yè)的管理效率。

SK海力士、美光拼命追趕

另外，三星的競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手SK海力士也有意以更先進(jìn)制程生產(chǎn)DRAM。傳聞2017年第4季SK海力士將啟動(dòng)1xnm DRAM生產(chǎn)，并在2018年下半開發(fā)出1ynm DRAM制程，但SK海力士并未明確提到是否采用EUV設(shè)備。

DRAM第三大廠美光也在拼命追趕。美光已于今年第一季量產(chǎn)18納米DRAM，計(jì)劃未來兩三年砸下20億美元，研發(fā)13納米DRAM制程。美光在日本廣島廠增設(shè)無塵室設(shè)備，并購買了多項(xiàng)高價(jià)生產(chǎn)儀器，進(jìn)入13納米制程之后，同一片晶圓能分割成更多芯片，生產(chǎn)力將提高20%。