集邦咨詢指出，中國存儲器產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，盡管早期如紫光集團(tuán)與美光洽談技術(shù)合作無疾而終，或是并購相關(guān)技術(shù)母廠多失敗收場，但中國積極吸收專業(yè)人才，無論是臺灣地區(qū)的建廠人才，或是日韓的技術(shù)人才皆為中國半導(dǎo)體廠目標(biāo)，并且從技術(shù)授權(quán)轉(zhuǎn)為自主研發(fā)，處處可見中國進(jìn)軍存儲器產(chǎn)業(yè)的強(qiáng)烈決心。

兩大陣營搶布局DRAM，分別從利基型內(nèi)存與行動式內(nèi)存切入

從存儲器產(chǎn)品中的DRAM產(chǎn)業(yè)來看，中國在發(fā)展策略上已有逐步收斂之勢，并非雜亂無章。以技術(shù)布局的角度觀察，中國DRAM領(lǐng)域中除了繪圖用內(nèi)存未有廠商布局，其他都有廠商按照計劃發(fā)展中。

中國DRAM產(chǎn)業(yè)目前已有福建晉華、合肥長鑫兩大陣營。福建晉華專注利基型內(nèi)存的開發(fā)，主攻消費(fèi)型電子市場，有望憑借著中國本有的龐大內(nèi)需市場壯大自身產(chǎn)能，甚至在補(bǔ)貼政策下，預(yù)估最快2018年底可能將影響國際大廠在中國市場的銷售策略，并且有機(jī)會取得技術(shù)IP走向國際市場。

相較于福建晉華避開國際大廠的主力產(chǎn)品，合肥長鑫直搗國際大廠最核心的行動式內(nèi)存產(chǎn)品。行動式內(nèi)存已是內(nèi)存類別中占比最高的產(chǎn)品，其省電技術(shù)要求極高，開發(fā)難度相當(dāng)高。然而，中國品牌手機(jī)出貨已占全球逾四成，倘若LPDDR4能順利量產(chǎn)并配合補(bǔ)貼政策，中國政府進(jìn)口取代的策略即可完成部分階段性任務(wù)。

NAND Flash以長江存儲布局最速，初期產(chǎn)品仍鎖定低端產(chǎn)品

觀察中國在NAND Flash領(lǐng)域的發(fā)展，以紫光集團(tuán)旗下的長江存儲為中國最快成軍的開發(fā)廠商，初期也將以中國內(nèi)需市場的布局為主。由于長江存儲開發(fā)早期技術(shù)力不足，難以與一線大廠相抗衡，預(yù)估其初期產(chǎn)品會以卡碟類為大宗。隨著長江存儲技術(shù)發(fā)展來到64/96層才有機(jī)會進(jìn)軍SSD市場，但此市場技術(shù)競爭相當(dāng)激烈，沒有中國政府的支持，短期會難以在成本上取得優(yōu)勢，利用中國內(nèi)需市場壯大自己將是紫光集團(tuán)未來可行的策略。

而武漢新芯隨著長江存儲的成立后，將專注于NOR Flash的開發(fā)，雖然長江存儲的NAND Flash試產(chǎn)線暫放在武漢新芯，但隨著長江存儲于武漢未來城基地建構(gòu)完成后，未來也將各自獨立。

集邦咨詢指出，以目前現(xiàn)況來看，中國發(fā)展存儲器的策略能否成功，未來的3~5年將是極其重要的關(guān)鍵期，特別是強(qiáng)化IP的布局，中國政府以及廠商未來必須憑借內(nèi)需市場、優(yōu)秀的開發(fā)能力，以及具國際水平的產(chǎn)能，取得與國際廠商最有利的談判籌碼，才有機(jī)會立足全球并占有一席之地。

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