中囯己有三家企業(yè)向存儲器芯片制造發(fā)起沖鋒，分別是武漢長江存儲的32層3D NAND閃存；福建晉華的是32納米的DRAM利基型產(chǎn)品；以及合肥長鑫(睿力)的19納米 DRAM。而且三家都聲稱2018年底前將實現(xiàn)試產(chǎn)，開通生產(chǎn)線。

如果再計及紫光分別在南京和成都剛宣布再建兩個存儲器基地，總計己有五家企業(yè)。

艱難的上馬決定

中國半導體業(yè)要上馬存儲器芯片制造，當時大多數(shù)人持謹慎態(tài)度，不是看輕自己，而是存儲器業(yè)的競爭太激烈。

存儲器業(yè)究竟難在那里？可能有如下幾個主要方面：

未見有“新進者”

自上世紀90年代之后，全球存儲器制造廠商未見有一家“新進者”，其間奇夢達倒閉，及美光兼并了爾必達，導致在DRAM領(lǐng)域全球僅存三家，包括三星、海力士與美光（中國臺灣地區(qū)的多家加起來占5%，可以忽略不計）以及NAND閃存僅存四個聯(lián)合體，包括三星、東芝與西數(shù)、海力士及美光與英特爾，其中三星居壟斷地位，2017年它的DRAM 占全球的45.8%及NAND占37%。

周期起伏

存儲器業(yè)基本上的“規(guī)律”是盈利一年，虧損兩年，而三星是個例外，它獨霸天下，善于作逆向投資。如依Gartner數(shù)據(jù)，2017年全球存儲器增長64.3%，達約1200億美元，而2018年增長13.7%，及2019年下降12.9%，2020年再下降10.2%。

投資大，拼的是產(chǎn)能與成本

由于存儲器產(chǎn)品的特殊性，它的設(shè)計相對簡單，因此產(chǎn)品的線寬、產(chǎn)能、成品率與折舊，成為成本的最大項目。任何新進者，由于產(chǎn)能爬坡，折舊等因素幾乎無法與三星等相匹敵，所以即便舍得投入巨資，恐怕也難以取勝，其中還有專利等問題。

中國半導體業(yè)面臨艱難的抉擇，現(xiàn)實的方案是可能在處理器(CPU)與存儲器兩者之中選一，眾所周知，處理器己經(jīng)投入近20年，龍芯的結(jié)果是有成績，但是難予推廣應(yīng)用。所以只能選擇存儲器是眾望所歸，僅是感覺難度太大，多數(shù)人在開始時表示猶豫而己。如今“木己成舟”，只能齊心協(xié)力，努力拼搏向前。

困難在2019年及之后

對于中國上馬存儲器制造，可能會面臨三個主要難關(guān)：1) 突破技術(shù)關(guān)； 2) 拼成本與價格； 3) 專利糾紛。

從態(tài)勢分析，其中突破技術(shù)關(guān)，成功試產(chǎn)，對于中國存儲器廠商可能都不是問題，顯然2018年相比2017年的投資壓力會增大。

預(yù)期最困難的是第二個難關(guān)，開始產(chǎn)能的爬坡，以及拼產(chǎn)品的成本與價格階段。它們兩者聯(lián)在一起，當成本差異大時，產(chǎn)能爬坡的速率一定會放緩，很難馬上擴充產(chǎn)能達到50,000-100,000片。因為與對手相比較，在通線時我們的產(chǎn)能僅5,000至10,000片，對手己是超過100,000片，它的成品率近90%，而我們可能在70-80%。三星己經(jīng)64層 3D NAND量產(chǎn)，我們可能尚在32層，它的折舊在30%，或者以下，而我們可能大於50%，以及它們的線寬尺寸小，每個12英寸硅片可能有900個管芯，而我們僅800個，或更少等。所以不容懷疑成本差異是非常明顯，要看我們的企業(yè)從資金方面能夠忍受多長時間的虧損。

所以對于中國的存儲器業(yè)最艱難的時刻應(yīng)該在2019年，或者之后。

第三個難關(guān)是專利糾紛，近期己有多方的“空氣”說，中國做DRAM怎么能不踩專利的“紅線”，而且不可預(yù)測對手會如何與您開打，這是中國半導體業(yè)成長必須要支付的“代價”。因此從現(xiàn)在開始就要準備專利方面的律師及材料，迎接戰(zhàn)斗。

對于知識產(chǎn)權(quán)保護中國半導體業(yè)一定要給予足夠的重視，也是邁向全球化的必由之路。

因為對手們正虎視眈眈的監(jiān)視著我們，它們通常會采用兩個利器，一個是“專利棒”，它們的目的首先是要徹底打垮我們，然后即便打不敗我們，也要拖跨我們。另一個更兇狠的是“打價格戰(zhàn)”，讓我們的產(chǎn)品變成庫存而無法售出。所以這一仗是十分艱難，要提前做好它們會非理性出牌的預(yù)案，顯然除了資金上能夠持續(xù)之外，要充分利用好市場在中囯的優(yōu)勢。

近期三星，美光、海力士、英特爾以及東芝都紛紛開始擴充產(chǎn)能，不是個好兆頭，據(jù)說它們的目的之一都是為了應(yīng)對中國的存儲器業(yè)崛起。

突破存儲器的思考

此次攻克存儲器的風險很大，成功與否目前尚不可預(yù)言，但是站在中囯半導體業(yè)立場，既然是箭己出弦，勢在疾發(fā)，那就一定要努力去達成，它對于中國半導體業(yè)會產(chǎn)生深遠的影響。

IDM模式的嘗試

為什么中國一定要涉足IDM模式，它與要實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)的“自主可控”目標緊密相關(guān)。由于中國半導體業(yè)處于獨特的地位，而現(xiàn)階段它的芯片制造大都采用代工模式，缺乏自有的產(chǎn)品，僅有的fabless又十分偏科，集中于手機處理器等領(lǐng)域，所以要實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)的“自主可控”目標必須迅速邁入IDM模式，解決部分影響自身需求最關(guān)鍵的產(chǎn)品，因此存儲器芯片首先列入候選清單之中。

之前中國也有自己的IDM，如杭州士蘭微電子等，但由于相對弱小，技術(shù)的先進性不夠，它們尚不能代表中國的芯片制造業(yè)水平。

IDM模式有它的特點，并有一定難度，不然中國半導體業(yè)早就可以涉足，它的難點與市場化的關(guān)連更為緊密。因為IDM的產(chǎn)品要能滿足市場的需求，而代工僅是提供工藝條件讓客戶來選擇加工，而正因為IDM有自己的產(chǎn)品，它就有庫存的風險，以及與競爭對手是要持續(xù)的比拼實力。全球許多著名大廠幾乎都是IDM模式，如英特爾做處理器(CPU)，三星做DRAM與NAND，NXP做汽車電子，TI做模擬產(chǎn)品等。

所以此次涉足存儲器制造采用IDM模式對于中國半導體業(yè)是個新的開始，具里程碑意義。

國產(chǎn)化

國產(chǎn)化的概念十分重要，因為至此西方仍對于中國采用禁運手段，從國家安全出發(fā)，中國半導體一定要有部分關(guān)鍵的IC產(chǎn)品能替代進口，甚至那怕只有5%-10%的產(chǎn)品是西方一定要購買中國生產(chǎn)的，這樣雙方就可以互相依賴，調(diào)節(jié)平衡。

而許多文章中經(jīng)常采用的所謂“國產(chǎn)化率”，如2020年達40%，及2025年達70%，恐怕需要重新思考，它缺乏正確的定義，即它的分子與分母分別由哪些部分組成可能含義尚很模糊。導致國外與國內(nèi)的所謂國產(chǎn)化率的數(shù)據(jù)差異大，如果假設(shè)到2025年時“國產(chǎn)化率”己經(jīng)達到了70%，它具有什么現(xiàn)實的意義？

而存儲器產(chǎn)品對于提高國產(chǎn)IC替代應(yīng)用的前景廣闊。

紫光開工三家存儲器基地的一些看法

紫光愿意承擔中國存儲器業(yè)發(fā)展的責任，它的董事長趙偉國有企業(yè)家的擔當，值得受人尊敬。而從中國存儲器業(yè)發(fā)展的眼光需要紫光，因為依國有資金為主導，它的機制無法適應(yīng)存儲器變化快的市場特征，否則武漢新芯也不會邀約紫光入股，并讓它當大股東。

從另一側(cè)面觀察，中國最大的芯片制造廠，中芯國際經(jīng)過16年的積累銷售額才僅30億美元，因而迫切需要探索一種新的模式，由終端企業(yè)來帶動制造業(yè)可能是其中方法之一，但是之前多家終端企業(yè)曾試圖突破，結(jié)果是并不成功，反映芯片制造有難度，有它的獨特規(guī)律。

如今紫光聲稱要采用前人(半導體人)從未用過的方法，包括用資本運作來積累發(fā)展資金，以及兼并來推動產(chǎn)業(yè)進步，近期又聲稱要加強研發(fā)。盡管業(yè)界有些半信半疑，但是觀察近3年來紫光的實踐，至少尚“有些模樣”。

業(yè)界至此擔心的是投資高達1,000億美元，同時上馬三個基地，包括武漢、南京和成都，好像太過于自信，也沒有必要性。而且投資金額與投資的實效并非一定成正比。因為在中國的現(xiàn)行條件下，“存儲器業(yè)不是愿意砸大錢，就能一定成功”，而且學習三星的經(jīng)驗并不一定能適用于中國，更不知道“錢”在那里？現(xiàn)在的紫光靠名聲可以融到部分資金，未來主要是依靠業(yè)績，是產(chǎn)業(yè)發(fā)展的正常規(guī)則。

業(yè)界曾有質(zhì)疑，紫光是一家企業(yè)，它能承擔存儲器業(yè)發(fā)展的責任，能持久下去嗎？我的初淺認識是紫光愿意探索一條“新路”，對于產(chǎn)業(yè)發(fā)展有利，也十分需要，因此首先要表示歡迎，并支持它，不該批評與阻止它。如今按紫光董事長趙偉國的說法，大約要有五年時間就可以站穩(wěn)腳跟，而按我的觀察哪怕再增加2-3年，能夠堅持下來就是成功的表現(xiàn)，它對于中國存儲器業(yè)發(fā)展將作出巨大的貢獻。

存儲器點滴

全球存儲器的現(xiàn)狀，以下提供些比較關(guān)鍵的數(shù)據(jù)，如月產(chǎn)能，依2017年初計，DRAM方面，三星月產(chǎn)能12英寸40萬片，海力士 30萬片及美光33萬片，而NAND閃存，三星為40萬片，海力士為21萬片，美光與intel為27萬片，及東芝與西數(shù)(原閃廸)為49萬片，總計全球存儲器的月產(chǎn)能約為12英寸硅片240萬片。

三星的平澤廠取名Fab18, 2017 Q2量產(chǎn)，生產(chǎn)第四代64層3D NAND 閃存，第一階段月產(chǎn)能為40,000-50,000片，占生產(chǎn)線的設(shè)計產(chǎn)能200,000片的1/4，投資金額為27.2-31.7億美元。

目前三星的西安廠量產(chǎn)64層3D NAND閃存，每個12英寸硅片約有780 個256GB的管芯，當平均成品率達85%時，成本估計每個是3美元，相當于主流 2D NAND 工藝16Gb容量的價格。

而20納米的 DDR4 8Gb，每個12英寸硅片約950-1100個管芯，成品率也為85%時，每個12英寸晶園成本為1450美元，計及封裝與測試成本后，每個管芯的成本為1.79-2.24美元。

所以，未來無論是3D NAND，或者是DRAM，比拼的是每顆管芯的成本，顯然成本的壓力很大。

結(jié)語

中國上馬存儲器芯片制造引起全球的反響，恐怕2019年及之后會揭開面紗，露出“真容”。它對于中國半導體業(yè)具里程碑意義，實質(zhì)上是為了實現(xiàn)產(chǎn)業(yè)“自主可控”目標打下扎實基礎(chǔ)，所以“氣只可鼓，不可泄”。盡管面臨的困難尚很大，但是必須要認真去對待，重視知識產(chǎn)權(quán)的保護，并努力加強研發(fā)的進程。

有人認為中國的國力是韓國的六倍以上，因此比賽耗國力中國一定能勝利，此話是正確的。然而多家存儲器企業(yè)都要依賴于國家資金來彌補虧損，可能也不現(xiàn)實，因為誰也無法預(yù)測最終結(jié)果會是什么樣。

觀察影響中國芯片制造業(yè)的發(fā)展，除了技術(shù)、人材及資金因素之外，尚有內(nèi)外兩個關(guān)鍵問題，一個是西方的阻撓，它們采用控制尖端人材流出，以及阻止國際兼并等方法，加上不定時的用瓦圣納條約來干擾，以及另一個是產(chǎn)業(yè)大環(huán)境的改善，即要解決諸多產(chǎn)業(yè)發(fā)展中的“結(jié)構(gòu)性”矛盾。由于其中一個是不掌握在自已手中，以及另一個涉及國家改革總的進程，所以中國半導體業(yè)在存儲器的前進道路中不會很平坦，真要有長期奮戰(zhàn)的決心與勇氣。

本文轉(zhuǎn)載自求是緣半導體聯(lián)盟“莫大康專欄”