價格下跌 閃存市場將進入調(diào)整期？

報道稱，由于美國蘋果對iPhoneX進行生產(chǎn)調(diào)整以及中國廠商的智能手機銷售減速，部分存儲器的價格轉(zhuǎn)為下跌。此前以存儲器為中心的半導體需求持續(xù)增長，市場行情保持堅挺，包括材料和制造設備領(lǐng)域在內(nèi)，半導體行業(yè)正欲弄清行情是否進入了調(diào)整階段。

在用于智能手機記憶裝置的NAND型閃存方面，對需求反映敏感的現(xiàn)貨價格較3個月前下跌1成左右，從2016年下半年開始持續(xù)的漲價局面發(fā)生了變化。

來源：日經(jīng)新聞

另據(jù)鉅亨網(wǎng)報道，財經(jīng)部落格《Seeking Alpha》專欄作家Robert Castellano也表示，根據(jù) Korea Investment & Securities提供的資料，統(tǒng)整2016年至2018年NAND和DRAM平均銷售價格(ASPs)，數(shù)據(jù)顯示三星電子SK海力士的NAND和DRAM平均銷售價格變化，在最近幾季呈現(xiàn)下滑趨勢。

三星 NAND 和 DRAM 平均銷售價格變化（來源：鉅亨網(wǎng)）

SK 海力士的NAND和DRAM平均銷售價格變化（來源：鉅亨網(wǎng)）

日經(jīng)新聞表示，自2016年iPhone搭載了可容納幾十部高清電影的閃存之后，全球智能手機的容量紛紛變大。此外，IT企業(yè)將個人信息保存于數(shù)據(jù)中心的需求也出現(xiàn)擴大，以容量計算的閃存市場規(guī)模被認為將在中長期內(nèi)保持高速增長。

然而，蘋果iPhoneX傳出在1～3月減產(chǎn)5成，上海研究公司CINNO的分析師Sean Yang指出，蘋果為這些芯片的最大消費者，2017 年占全球總需求量的1.6％，約為 1.6 億千兆位組 (gigabytes)。iPhone X 的產(chǎn)量減少，意味著內(nèi)存芯片的消費者減少，將使 NAND 和 DRAM 和平均售價上升幅度減緩。

此外，OPPO、vivo等快速成長的中國手機廠商也陷入苦戰(zhàn)，IDC數(shù)據(jù)顯示2017年全球智能手機銷量同比下滑0.1%，智能手機市場的變化直接導致閃存的供需趨緩。

據(jù)悉，三星原先預計在韓國平澤的工廠，開辟樓層建立新的NAND閃存生產(chǎn)線，但在價格下降后，三星將計劃改為在二樓部份區(qū)域建立DRAM生產(chǎn)線。據(jù)JP摩根證券估算，三星2018年的設備投資中，投向閃存的金額將同比減少3成。

DRAMexchange 預計 2018 年DRAM供給位預計成長 22.5％，高于2017年的約19.5％，而2018年DRAM的收入預計將成長30％，遠低于2017年的76％營收成長。

中國大陸存儲器的成長也對NAND、DRAM的供需情況產(chǎn)生影響。中國大陸半導體廠商的內(nèi)存工廠可能最快在2019年下旬即可開始營運，位于福建的晉華集成電路公司指出，工程進度加快，預計在今年10月將完成主要工廠的結(jié)構(gòu)建設，而總部位于武漢的長江存儲科技公司將投資24億美元建設3座大型 3D NAND閃存制造工廠，一號工廠預計將于2018年正式開始生產(chǎn)，月產(chǎn)能約為30萬片晶圓；最后，位于合肥的睿力集成電路公司，也購買了一批DRAM生產(chǎn)設備。

Robert Castellano認為，內(nèi)存平均售價呈現(xiàn)下滑、大陸發(fā)改委和三星簽署備忘錄、三星 NAND 閃存擴充產(chǎn)能量減少、中國大陸廠商完成內(nèi)存生產(chǎn)工廠設置、蘋果下修iPhone X 產(chǎn)量等五大跡象據(jù)顯示內(nèi)存芯片的“超級循環(huán)”將結(jié)束。

日經(jīng)新聞引援JP摩根證券的執(zhí)行董事森山久史表示，“NAND型閃存將進入調(diào)整期”。森山認為，伴隨各家制造商良品率提高，NAND型閃存的供應量出現(xiàn)增加，與2017年相比供應短缺的情況將有所緩解。

DIGITIMES則指出，雖然半導體產(chǎn)業(yè)認為，全球儲存設備需求持續(xù)成長，NAND存儲器市場目前只是進行短期調(diào)整，中長期還是會止跌回升，但存儲器市場是先前漲得越兇、后面就跌得越深，加上新產(chǎn)品良率總不易拉高，如果又與市場景氣下滑重迭，2018年的業(yè)績實不容樂觀。