晶圓制造是目前芯片設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的中上游重要組成部分，國際上一直處在半壟斷競爭態(tài)勢中。臺(tái)積電、三星、Intel等國際巨頭的晶圓工藝使他們科技力量的重要源泉。日前，中芯國際傳來了中國晶圓好消息。

中芯國際將在2018年下半年量產(chǎn)28nm HKC+工藝，2019年上半年開始試產(chǎn)14nm FinFET工藝，并借此進(jìn)入AI芯片領(lǐng)域。

中芯國際目前的聯(lián)席CEO梁孟松表示，28nm工藝在整個(gè)2018年將占據(jù)中芯國際出貨量的5-10％，其中新的28nm HKC占比將基本接近28nm Poly-SiON。

2017年第四季度，中芯國際深圳200毫米晶圓廠的產(chǎn)能為442750塊晶圓，2018年第一季度提升至447750塊，平均產(chǎn)能利用率也提高到88.3％。

同時(shí)，來自電源管理IC的需求也越來越高，200毫米晶圓廠正全力生產(chǎn)，高壓BCD工藝則轉(zhuǎn)向其300毫米晶圓廠。

2017年，中芯國際收入31.01億美元，同比增長6.4％，毛利率23.9％，同比下降5.3個(gè)百分點(diǎn)，凈利潤10.81億美元，同比增長10.6％。

其中，28nm工藝貢獻(xiàn)的收入增長4.4倍創(chuàng)造新高，總體占比為8.0％，

中芯國際聯(lián)席CEO趙海軍透露，2018年第一季度中芯國際收入8.31億美元，毛利率26.5％，研發(fā)投入1.23億美元，預(yù)計(jì)第二季度收入環(huán)比增長7-9％，毛利率23-25％。

中芯國際40％的收入都來自中國內(nèi)地，梁孟松此前曾任職臺(tái)積電，被稱為能為中芯國際帶來巨大進(jìn)步的推動(dòng)者。