日本科技大廠富士通（Fujitsu）于13日宣布，研發(fā)出型號(hào)為MB85RS64TU的64-Kbit FRAM。此款存儲(chǔ)器能在攝氏零下55度中運(yùn)行，為富士通電子旗下首款能耐受如此低溫的FRAM非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，現(xiàn)已量產(chǎn)供貨。

富士通指出，F(xiàn)RAM是一種采用鐵電質(zhì)薄膜作為電容器以儲(chǔ)存資料的存儲(chǔ)器，即便在沒(méi)有電源的情況下仍可保存資料。而且FRAM結(jié)合了ROM和RAM的特性，擁有高速寫(xiě)入資料、低功耗和高速讀/寫(xiě)周期的優(yōu)點(diǎn)，富士通自1999年即開(kāi)始生產(chǎn)FRAM，亦稱為FeRAM。

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值得一提的是，F(xiàn)RAM產(chǎn)品保證10萬(wàn)億次的讀/寫(xiě)周期，大約是競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器EEPROM的1千萬(wàn)倍。因此，許多需要頻繁覆寫(xiě)資料的工業(yè)應(yīng)用，例如即時(shí)資料記錄與3D位置資料記錄等，都采用FRAM的產(chǎn)品。

富士通進(jìn)一步表示，新款的FRAM支援范圍極廣的電源電壓，從1.8伏特至3.6伏特，并支援更低的運(yùn)作溫度，最低可達(dá)攝氏零下55度，超越競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手存儲(chǔ)器的最低運(yùn)作溫度。由于，能在運(yùn)作溫度范圍內(nèi)保證10萬(wàn)億次讀/寫(xiě)周期，故適合用于像在極寒地區(qū)挖掘天然氣與石油的設(shè)備或機(jī)具等的工業(yè)機(jī)具上，包括測(cè)量設(shè)備、流量計(jì)、及機(jī)器人等的一般工業(yè)應(yīng)用。

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FRAM產(chǎn)品已推出業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)的8-Pin SOP封裝，使其能取代8-Pin SOP封裝的EEPROM。此外，還提供擁有2.00 x 3.00 x 0.75 mm極小尺寸的8-Pin SON封裝。SON的表面貼裝面積僅為SOP封裝的30%，而貼裝體積更僅為SOP的13%，更適合應(yīng)用于輕量化的現(xiàn)代工具設(shè)備上。

富士通表示，2017年富士通發(fā)表能在攝氏125度環(huán)境中運(yùn)作的FRAM產(chǎn)品，擴(kuò)展運(yùn)行溫度的高溫極限。此次，再開(kāi)發(fā)出的零下55度產(chǎn)品，進(jìn)一步擴(kuò)展運(yùn)行溫度的低溫極限。