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計劃授予權(quán)益430萬股，吸引和留住優(yōu)秀人才

據(jù)披露，本計劃包括股票期權(quán)激勵計劃和限制性股票激勵計劃兩部分。股票期權(quán)和限制性股票將在履行相關(guān)程序后授予。本計劃股票期權(quán)的有效期為自首次授予股票期權(quán)登記完成之日起至所有股票期權(quán)行權(quán)或注銷之日止，最長不超過60個月。本計劃擬向激勵對象授予權(quán)益總計430萬股，涉及的標(biāo)的股票種類為人民幣A股普通股，約占《激勵計劃（草案）》公告時公司股本總額28,375.1628萬股的1.52%。

在股票期權(quán)激勵計劃標(biāo)的股票數(shù)量方面，兆易創(chuàng)新擬向激勵對象授予301萬股股票期權(quán)，涉及的標(biāo)的股票種類為人民幣A股普通股，約占《激勵計劃（草案）》公告時公司股本總額28,375.1628萬股的1.06%，其中首次授予240.80萬股，約占《激勵計劃（草案）》公告時公司總股本28,375.1628萬股的0.85%，首次授予部分占本次授予權(quán)益總額的56.00%；預(yù)留60.20萬股，約占《激勵計劃（草案）》公告時公司總股本28,375.1628萬股的0.21%，預(yù)留部分占本次授予權(quán)益總額的14.00%，每份股票期權(quán)在滿足行權(quán)條件的情況下，激勵對象獲授的每一份股票期權(quán)擁有在有效期內(nèi)以行權(quán)價格購買1股公司股票的權(quán)利。

兆易創(chuàng)新表示，本次股權(quán)激勵計劃的目的是為了進(jìn)一步建立、健全公司長效激勵機(jī)制，吸引和留住優(yōu)秀人才，充分調(diào)動公司中層管理人員及核心技術(shù)骨干的積極性，有效地將股東利益、公司利益和核心團(tuán)隊個人利益結(jié)合在一起，使各方共同關(guān)注公司的長遠(yuǎn)發(fā)展，在充分保障股東利益的前提下，按照收益與貢獻(xiàn)對等的原則，根據(jù)《公司法》《證券法》《管理辦法》等有關(guān)法律、法規(guī)和規(guī)范性文件以及《公司章程》的規(guī)定，制定本次股權(quán)激勵計劃。

據(jù)行業(yè)人士評論稱，本次激勵公司主要針對上次未激勵核心員工，基本實(shí)現(xiàn)全員激勵，為公司長期戰(zhàn)略推進(jìn)起積極核心作用。

兆易創(chuàng)新近況

公司經(jīng)營情況到底如何？

在一季報公司營收，毛利率、庫存、晶圓保證金、無形資產(chǎn)等經(jīng)營指標(biāo)積極反應(yīng)基礎(chǔ)上，四五月從產(chǎn)業(yè)來看NOR、NAND單月出貨量環(huán)比、同比均顯著增長，從代工廠華力微、中芯國際來看，兆易創(chuàng)新產(chǎn)品的中大容量占比顯著提升，邁出產(chǎn)品結(jié)構(gòu)升級第一步，并且預(yù)期公司整體投片量三季度開始提升。同時，兆易創(chuàng)新的大客戶導(dǎo)入節(jié)奏繼續(xù)加快，SLC NAND市場極度緊缺，北京SLC NAND預(yù)計近期開始大批量投片。

行業(yè)景氣程度如何？

整體市場景氣度向好。目前市場最大分歧在于NOR Flash的行業(yè)景氣度，近期海外直接對標(biāo)龍頭旺宏、華邦月度營收持續(xù)環(huán)比、同比高增長向好，同時交流來看市場傳言Q1/Q2持續(xù)跌價與實(shí)際情況并非完全一致，尤其是大容量仍然處于緊缺狀態(tài)。從供給來看，美光、Cypress等大廠退出，新增產(chǎn)能主要來自于兆易創(chuàng)新，全球總產(chǎn)能并沒有顯著變化，因此不會出現(xiàn)供給大量釋放造成跌價。而下游物聯(lián)網(wǎng)、工業(yè)控制、汽車電子等領(lǐng)域?qū)痛鎯Φ男枨筮€在持續(xù)增長，因此結(jié)合龍頭公司展望下半年NOR、SLC NAND等利基型存儲仍將保持較高景氣度。

合肥DRAM戰(zhàn)略項(xiàng)目的進(jìn)展

最后值得關(guān)注的是，合肥DRAM戰(zhàn)略項(xiàng)目今年6月已經(jīng)開始正式流片，整體來看進(jìn)展有序、到年底大概率能夠流片三次，實(shí)現(xiàn)10%良率突破，并在明年陸續(xù)進(jìn)行良率和產(chǎn)能的爬坡。從公開報道來看目標(biāo)繼續(xù)按照今年年底10%研發(fā)良率突破、明年年底達(dá)到2萬片/月的產(chǎn)能水平推進(jìn)中。基于兆易創(chuàng)新 NOR Flash產(chǎn)品結(jié)構(gòu)提升、SLC NAND放量突破在即以及合肥DRAM項(xiàng)目進(jìn)展順利有望按時實(shí)現(xiàn)戰(zhàn)略突破。