動(dòng)態(tài)信息

關(guān)注我們，了解更多動(dòng)態(tài)信息

長(zhǎng)江存儲(chǔ)將發(fā)布新一代Xtacking技術(shù) 實(shí)現(xiàn)NAND閃存超高傳輸速率

 2018-07-30  

 

據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)官方消息，Xtacking技術(shù)將為NAND閃存帶來(lái)前所未有的超高傳輸速率 電子設(shè)計(jì)模塊

 國(guó)際電子商情報(bào)道，據(jù)長(zhǎng)江存儲(chǔ)官方消息，8月初，長(zhǎng)江存儲(chǔ)CEO楊士寧博士將發(fā)表《創(chuàng)新架構(gòu)，釋放3D NAND閃存潛能》的主題演講。楊士寧博士將會(huì)介紹此項(xiàng)技術(shù)是如何將NAND傳輸速率提升至DRAM DDR4相當(dāng)?shù)乃疁?zhǔn)，同時(shí)使存儲(chǔ)密度達(dá)到行業(yè)領(lǐng)先水平，實(shí)現(xiàn)閃存行業(yè)的劃時(shí)代躍進(jìn)。 

 
Xtacking技術(shù)將為NAND閃存帶來(lái)前所未有的超高傳輸速率，從而將NAND閃存應(yīng)用產(chǎn)品，如UFS、消費(fèi)級(jí)及企業(yè)級(jí)SSD的性能提升至全新的高度。在客戶、行業(yè)伙伴以及標(biāo)準(zhǔn)機(jī)構(gòu)的合力幫助下，XtackingTM 將為高性能的智能手機(jī)、個(gè)人計(jì)算、數(shù)據(jù)中心和企業(yè)應(yīng)用展開(kāi)新篇章。
 
XtackingTM技術(shù)實(shí)現(xiàn)了NAND矩陣與外圍電路的并行加工。這種模塊化閃存開(kāi)發(fā)和制造工藝將大幅縮短新一代3D NAND閃存的上市時(shí)間，并使NAND閃存產(chǎn)品定制化成為可能。
 
據(jù)悉，目前長(zhǎng)江存儲(chǔ)即將量產(chǎn)32層3D NAND Flash，按照規(guī)劃，明年開(kāi)始量產(chǎn)64層3D NAND Flash。
產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子（FTR）
采樣電阻
KINGSTATE（志豐電子）
君耀電子(Brightking)
RUBYCON電容原裝現(xiàn)貨供應(yīng)商
HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
傳感器
飛思卡爾開(kāi)發(fā)工具 Freescale
嵌入式解決方案
自動(dòng)化工業(yè)系統(tǒng)
網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)
行車(chē)記錄儀
地址(中國(guó))：杭州市拱墅區(qū)莫干山路972號(hào)北部軟件園泰嘉園B座303室
QQ：1261061025
郵箱：master@wfyear.com
電話：800-886-8870