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中芯國際14納米FinFET制程獲得重大進展,已進入客戶導(dǎo)入階段

   

中芯國際公布了第一代14納米FinFET技術(shù)研發(fā)獲得重大進展,已進入客戶導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC,28納米HKC+技術(shù)開發(fā)也已完成......電子模塊

8月9日,中芯國際公布了在14納米FinFET技術(shù)開發(fā)上獲得的重大進展。第一代FinFET技術(shù)研發(fā)已進入客戶導(dǎo)入階段。除了28納米PolySiON和HKC,28納米HKC+技術(shù)開發(fā)也已完成。28納米HKC持續(xù)上量,良率達到業(yè)界水平。

另外中芯國際集成電路制造有限公司公布了截至二零一八年六月三十日止三個月的綜合經(jīng)營業(yè)績。

二零一八年第二季的銷售額為捌億玖仟零柒拾萬美元,較二零一八年第一季的捌億參仟壹佰萬美元增加7.2%,較二零一七年第二季的柒億伍仟壹佰貳拾萬美元增加18.6%。二零一八年第二季不含技術(shù)授權(quán)收入(「授權(quán)收入」)確認的銷售額為捌億參仟柒佰玖拾萬美元,較二零一八年第一季的柒億貳仟參佰肆拾萬美元增加15.8%,較二零一七年第二季的柒億伍仟壹佰貳拾萬美元增加11.5%。

二零一八年第二季毛利為貳億壹仟柒佰捌拾萬美元,相比二零一八年第一季為貳億貳仟零貳拾萬美元,及二零一七年第二季為壹億玖仟肆佰壹拾萬美元。二零一八年第二季不含授權(quán)收入影響為壹億陸仟伍佰萬美元,相比二零一八年第一季為壹億壹仟貳佰陸拾萬美元,及二零一七年第二季為壹億玖仟肆佰壹拾萬美元。

二零一八年第二季毛利率為24.5%,相比二零一八年第一季為26.5%,及二零一七年第二季為25.8%。二零一八年第二季毛利率不含授權(quán)收入影響為19.7%,相比二零一八年第一季為15.6%,及二零一七年第二季為25.8%。

中芯國際預(yù)期:

季度收入下降4%至6%。不含授權(quán)收入影響,季度收入持平至增加2%。

毛利率介于19%至21%的范圍內(nèi)。

非公認準(zhǔn)則的經(jīng)營開支為扣除雇員花紅計提數(shù)、雇員花紅計提數(shù)、政府支持的資金、機器及設(shè)備的減值虧損、出售機器及設(shè)備損益以及出售生活園區(qū)資產(chǎn)收益影響后,將介于2億3仟2佰萬美元至2億3仟8佰萬美元之間。

非控制權(quán)益將介于正1仟9佰萬美元至正2仟1佰萬美元之間(由非控制權(quán)益承擔(dān)的損失)。

中芯國際聯(lián)席首席執(zhí)行官,趙海軍博士和梁孟松博士評論說:“中芯處于蓄勢過渡時期。在推進技術(shù)、建立平臺和構(gòu)筑合作關(guān)系上,我們看見令人鼓舞的初步進展。同時,我們向今年高個位數(shù)的收入成長目標(biāo)邁進。隨著需求和產(chǎn)能利用率在二季度回升,不包含技術(shù)授權(quán)收入的中國區(qū)收入環(huán)比和同比成長了14%和38%。作為中國首選晶圓代工伙伴,我們相信必將受惠于中國芯片市場的成長機遇。

產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
君耀電子(Brightking)
RUBYCON電容原裝現(xiàn)貨供應(yīng)商
HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
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