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中微5nm蝕刻機(jī)將用于臺(tái)積電5nm芯片制造

 在臺(tái)積電的5nm生產(chǎn)線(xiàn)中,將有來(lái)自深圳中微半導(dǎo)體的5nm等離子體蝕刻機(jī),自主研發(fā),近日已經(jīng)通過(guò)了臺(tái)積電的驗(yàn)證,將用于全球首條5nm工藝生產(chǎn)線(xiàn)。

作為全球頭號(hào)代工廠(chǎng),臺(tái)積電的新工藝正在一路狂奔,7nm EUV極紫外光刻工藝已經(jīng)完成首次流片,5nm工藝也將在2019年4月開(kāi)始風(fēng)險(xiǎn)試產(chǎn),預(yù)計(jì)2020年量產(chǎn)。

不過(guò)眾所周知,半導(dǎo)體工藝是一項(xiàng)集大成的高精密科技,新工藝也并非臺(tái)積電自己完全搞定,而是依賴(lài)整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈的設(shè)備和技術(shù)供應(yīng),比如大家比較熟悉的光刻機(jī),就普遍來(lái)自荷蘭ASML。

據(jù)了解,在臺(tái)積電的5nm生產(chǎn)線(xiàn)中,就將有來(lái)自深圳中微半導(dǎo)體的5nm等離子體蝕刻機(jī),自主研發(fā),近日已經(jīng)通過(guò)了臺(tái)積電的驗(yàn)證,將用于全球首條5nm工藝生產(chǎn)線(xiàn)。

中微半導(dǎo)體與臺(tái)積電在28nm工藝世代就已經(jīng)有合作,10nm、7nm工藝也一直延續(xù)下來(lái),值得一提的是,中微半導(dǎo)體也是唯一進(jìn)入臺(tái)積電7nm制程蝕刻設(shè)備的大陸本土設(shè)備商。

據(jù)介紹,等離子體刻蝕機(jī)是芯片制造中的一種關(guān)鍵設(shè)備,用來(lái)在芯片上進(jìn)行微觀雕刻,每個(gè)線(xiàn)條和深孔的加工精度都是頭發(fā)絲直徑的幾千分之一到上萬(wàn)分之一,精度控制要求非常高。

比如,16nm工藝的微觀邏輯器件有60多層微觀結(jié)構(gòu),要經(jīng)過(guò)1000多個(gè)工藝步驟,攻克上萬(wàn)個(gè)技術(shù)細(xì)節(jié)才能加工出來(lái)。

中微半導(dǎo)體CEO尹志堯形容說(shuō):“在米粒上刻字的微雕技藝上,一般能刻200個(gè)字已經(jīng)是極限,而我們的等離子刻蝕機(jī)在芯片上的加工工藝,相當(dāng)于可以在米粒上刻10億個(gè)字的水平。”

或許在很多人看來(lái),刻蝕技術(shù)并不如光刻機(jī)那般“高貴”,但刻蝕在芯片的加工和生產(chǎn)過(guò)程中同樣不可或缺。實(shí)際上,刻蝕機(jī)主要是按照前段光刻機(jī)“描繪”出來(lái)的線(xiàn)路來(lái)對(duì)晶片進(jìn)行更深入的微觀雕刻,刻出溝槽或接觸孔,然后除去表面的光刻膠,從而形成刻蝕線(xiàn)路圖案。通俗來(lái)講,光刻機(jī)的作用就好比雕刻之前在木板或者石板上描摹繪線(xiàn),而刻蝕機(jī)則需要嚴(yán)格按照光刻機(jī)描繪好的線(xiàn)條來(lái)“雕刻”出刻痕圖案。所以,在芯片的整個(gè)生產(chǎn)工藝過(guò)程中需要先用到光刻機(jī),然后才用到刻蝕機(jī),接下來(lái)重復(fù)地使用兩種設(shè)備,直至完整地將設(shè)計(jì)好的電路圖搬運(yùn)到晶圓上為止。
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芯片量產(chǎn)工藝流程

但在過(guò)去,由于大陸并不具備可量產(chǎn)半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備的能力,基本上都是依靠進(jìn)口,而美歐等國(guó)為防止中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的進(jìn)步,多年以來(lái)一直對(duì)該領(lǐng)域?qū)嵭屑夹g(shù)封鎖。由于半導(dǎo)體設(shè)備動(dòng)輒千萬(wàn)上億的研發(fā)成本以及超高的技術(shù)難度,導(dǎo)致中國(guó)大陸在該領(lǐng)域一直以來(lái)走的十分艱難。不過(guò),2015年之后,中國(guó)本土逐漸成長(zhǎng)出了以中微半導(dǎo)體為代表的多家半導(dǎo)體刻蝕設(shè)備供應(yīng)商(比如主攻硅刻蝕和金屬刻蝕的北方華創(chuàng)等),且因中微在等離子體刻蝕機(jī)的質(zhì)量和數(shù)量上逐漸比肩國(guó)際大廠(chǎng),躋身一線(xiàn)水平,美國(guó)商務(wù)部也因此取消了對(duì)中國(guó)刻蝕機(jī)的出口管制。

長(zhǎng)期以來(lái),蝕刻機(jī)的核心技術(shù)一直被國(guó)外廠(chǎng)商壟斷,而中微半導(dǎo)體從65nm等離子介質(zhì)蝕刻機(jī)開(kāi)始,45nm、32nm、28nm、16nm、10nm一路走下來(lái),7nm蝕刻機(jī)也已經(jīng)運(yùn)行在客戶(hù)的生產(chǎn)線(xiàn)上,5nm蝕刻機(jī)即將被臺(tái)積電采用。

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中微半導(dǎo)體首席專(zhuān)家、副總裁倪圖強(qiáng)博士表示,刻蝕機(jī)曾是一些發(fā)達(dá)國(guó)家的出口管制產(chǎn)品,但近年來(lái),這種高端裝備在出口管制名單上消失了。這說(shuō)明如果我們突破了“卡脖子”技術(shù),出口限制就會(huì)不復(fù)存在。如今,中微與泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立4家美日企業(yè)一起,組成了國(guó)際第一梯隊(duì),為7nm芯片生產(chǎn)線(xiàn)供應(yīng)刻蝕機(jī)。

不過(guò)要特別注意,中微半導(dǎo)體搞定5nm蝕刻機(jī),完全不等于就可以生產(chǎn)5nm芯片了,因?yàn)槲g刻只是眾多工藝環(huán)節(jié)中的一個(gè)而已。

整體而言,我國(guó)半導(dǎo)體制造技術(shù)還差距非常大,尤其是光刻機(jī),最好的上海微電子也只是做到了90nm的國(guó)產(chǎn)化。

當(dāng)然在另一個(gè)方面,我國(guó)的半導(dǎo)體技術(shù)也在不同層面奮起直追,不斷縮小差距,比如依然很先進(jìn)的14nm工藝,在14nm 領(lǐng)域,北方華創(chuàng)的硅/金屬蝕刻機(jī)、北方華創(chuàng)的薄膜沉積設(shè)備、北方華創(chuàng)的單片退火設(shè)備、上海盛美的清洗設(shè)備,都已經(jīng)開(kāi)發(fā)成功,正在進(jìn)行驗(yàn)證。

產(chǎn)品目錄
MULTICOMP PRO
Kyet 科雅薄膜電容器
喬光電子(FTR)
采樣電阻
KINGSTATE(志豐電子)
君耀電子(Brightking)
RUBYCON電容原裝現(xiàn)貨供應(yīng)商
HAMAMATSU 濱松光電產(chǎn)品
傳感器
飛思卡爾開(kāi)發(fā)工具 Freescale
嵌入式解決方案
自動(dòng)化工業(yè)系統(tǒng)
網(wǎng)絡(luò)攝像機(jī)
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