傳華為要自研光刻機(jī)？

近日有消息稱，“華為太難了，擁有最強(qiáng)的國產(chǎn)芯片設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)海思還不行，還要琢磨研究光刻相關(guān)技術(shù)...國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈在這些方面幫不上華為，華為只能自己來了！”

該爆料者還表示，希望華為能夠找到頂尖領(lǐng)域的人才，早日攻克芯片問題。

從這條微博附上的招聘截圖來看，華為招聘“光刻工藝工程師”要求全職、不限經(jīng)驗(yàn)，工作地點(diǎn)在東莞松山湖。不過截圖上沒有顯示該職位的工資等信息。

針對此消息，《國際電子商情》在華為官網(wǎng)上沒有找到該職位的招聘啟事，在某招聘網(wǎng)站上倒是有一條華為該職位的招聘，不過該職位的招聘已經(jīng)關(guān)閉。

而華為方也尚未就此事做出回應(yīng)。

無巧不成書，其實(shí)華為早在4年前已經(jīng)申請了一項(xiàng)關(guān)于光刻設(shè)備的專利。

國際電子商情從“中國專利公布公告”上查詢得知，該專利于2016年9月9日在中國專利局申請，申請人是華為技術(shù)有限公司，發(fā)明人為弗洛里安·朗諾斯。換言之，華為早在4年前就開始著手光刻機(jī)產(chǎn)業(yè)的相關(guān)研發(fā)。

華為在專利文檔中表示，本發(fā)明實(shí)施提供了一種光刻設(shè)備和光刻系統(tǒng)， 通過使用光開關(guān)和至少兩個(gè)光子器件在基材表面形成干涉圖案，可以避免平移基材，從而提高了光刻處理的效率和干涉圖案的精確度。

據(jù)悉，當(dāng)前光刻設(shè)備通過單個(gè)聚焦透鏡形成干涉圖案，當(dāng)需要在較大的基材表面上制備周期性圖案時(shí)，需要通過平移步進(jìn)裝置平移承載基材的支架并需要復(fù)雜的對準(zhǔn)步驟， 由于平移步進(jìn)裝置價(jià)格昂貴且精確度不高， 現(xiàn)有的光刻設(shè)備存在處理效率較低以及形成的圖案精確度不高的問題。

目前有關(guān)于華為自研光刻機(jī)的進(jìn)度尚不明確，國際電子商情將持續(xù)關(guān)注此事后續(xù)發(fā)展。