缺貨漲價聲不斷，DRAM現(xiàn)貨價月漲三成？

機(jī)構(gòu)：12月DRAM現(xiàn)貨價月漲三成

國際電子商情先前有報道，自8月以來，產(chǎn)能吃緊情況加重，但8吋晶圓代工產(chǎn)能擴(kuò)產(chǎn)有限，加上下游終端客戶擔(dān)心搶不到產(chǎn)能，因此部分訂單涌入6吋產(chǎn)能，臺系代工大廠茂矽因此受益，9月表態(tài)其產(chǎn)能已滿載，并透露“不排除與客戶協(xié)商調(diào)漲代工價格的可能。但接單將優(yōu)先接下芯片需求，MOSFET的將酌情考慮。”

近期，BusinessKorea報道稱，在供給緊繃狀態(tài)下，芯片價格喊漲態(tài)勢恐將持續(xù)。而同一狀態(tài)中，在存儲器方面，市調(diào)機(jī)構(gòu)TrendForce最新報告預(yù)測，固態(tài)硬盤（SSD）控制芯片價格或有20%的上漲空間 。受此影響，內(nèi)嵌式存儲器 eMMC、UFS 在2021年首季價格估計將調(diào)漲5%。

另外，該機(jī)構(gòu)認(rèn)為，目前DRAM市場前景較好，除了現(xiàn)貨價調(diào)漲勢頭已定，預(yù)計固定合約價也將跟進(jìn)調(diào)漲。報告指出，2020年12月DRAM現(xiàn)貨價3.46美元，比11月時高出30%。 該機(jī)構(gòu)預(yù)計2021年首季DRAM價格將季增5%。

對比上述機(jī)構(gòu)，韓國KB證券分析師Jeff Kim預(yù)測相對樂觀，據(jù)他分析，認(rèn)為三星電子資本開支保守，因此產(chǎn)能方面吃緊情況短期內(nèi)恐難有變化，預(yù)計會讓DRAM 和NAND漲勢延續(xù)至2021年。Jeff 估計，2021年DRAM價格將年增7.1%，遠(yuǎn)優(yōu)于2020年下跌14.4%。

Jeff 表示，看好存儲器市況的理由有三，一是伺服器替換需求暫緩4年后需求迎來將復(fù)蘇，有利伺服器DRAM/SSD；二是美國限制華為措施仍未放松，讓中國手機(jī)廠商處于“危機(jī)感”下，因此包括OPPO、vivo、小米等廠商都在加大采購力度；三是美光跳電引發(fā)的供給短缺憂慮，也會拉升DRAM 買氣。報告并指出，目前三星和SK 海力士庫存正在迅速減少，可能會降至正常水位的一半。

廠商漲價，蓄勢待發(fā)？

供應(yīng)鏈方面，近期也傳出8吋廠生產(chǎn)的顯示器驅(qū)動芯片（DDI）、電源管理芯片（PMIC）漲價。稍早之前，匯頂已證實，將自1月1日起觸控芯片 GT9系列漲價30%。（相關(guān)閱讀：匯頂科技證實，GT9觸控芯片全系漲價30%！）

更早之前，聯(lián)詠已經(jīng)宣布2021年起調(diào)高顯示器驅(qū)動芯片價格。AOS（萬國）近期也發(fā)出漲價信號，宣布電源管理芯片在2021年1月起調(diào)漲 20%。值得一提的是，Diodes近期也發(fā)出調(diào)價函稱，受新冠疫情影響，以及受到供應(yīng)商的成本增加和交貨期延長的挑戰(zhàn)，將對部分產(chǎn)品價格進(jìn)行調(diào)漲，價格調(diào)漲部分將自2021年1月1日開始生效。有消息顯示，目前Diodes的低壓Mosfet交期拉長，延長至17-22周。

環(huán)球晶預(yù)告漲價

上周，硅晶圓大廠環(huán)球晶日前公開表態(tài)，受惠5G、車用等應(yīng)用強(qiáng)勁需求帶動，該公司尺寸產(chǎn)能到明年上半年均維持滿載，營收可望逐季走揚(yáng)，其中，12 吋現(xiàn)貨價已調(diào)漲，其他尺寸也將逐步調(diào)漲，估明年整體ASP（平均售價）可能略優(yōu)于今年。（推薦閱讀：產(chǎn)能滿載，晶圓大廠宣布全尺寸漲價！）

環(huán)球晶董事長徐秀蘭表示，隨著汽車電子市場需求在今年8、9月逐漸回暖，目前環(huán)球晶2020年營運(yùn)表現(xiàn)符合預(yù)期，產(chǎn)能方面，目前6吋 (及以下)、8吋與12吋產(chǎn)能均滿載，且到明年上半年都將維持滿載狀態(tài)。“預(yù)期2021年12吋現(xiàn)貨價漲幅會最大，其他尺寸也將逐步調(diào)漲。”徐秀蘭說。

環(huán)球晶方面表示，整體而言，2021年長期合約比重較今年下滑，現(xiàn)貨價則較今年成長，綜合兩因素影響，2021年ASP （平均售價）不會與今年差異太大，可能略優(yōu)于2020年。

值得一提的是，針對產(chǎn)業(yè)擔(dān)憂的有關(guān)庫存調(diào)整疑慮方面，環(huán)球晶方面表示，已持續(xù)與客戶確認(rèn)是否有重復(fù)下單情況，但每個客戶給到的反饋都是“沒有重復(fù)下單”。

展望未來，徐秀蘭認(rèn)為，2021年整體營收可望逐季走揚(yáng)，總出貨面積可能接近、或持平2018年的歷史高點，不過匯率因素方面還有待觀察。與此同時，考慮到疫情加速數(shù)字轉(zhuǎn)型，及5G、電動車等應(yīng)用強(qiáng)勁需求帶動，預(yù)計到2022年營收表現(xiàn)又會優(yōu)于2021年。

券商“湊熱鬧”：存儲器漲跌有別

針對近期各家外資紛紛看好存儲器的前景，瑞銀（UBS）也在最新報告指出，預(yù)計存儲器將自2021年首季開始迎接新的成長周期，且時間將持續(xù)至2022年中。與此同時，該報告也提到，存儲器市場方面，雖預(yù)期DRAM供不應(yīng)求的表現(xiàn)，但NAND Flash方面預(yù)期仍存在供應(yīng)過剩的情況。

報告指出，2021年存儲器市場，在DRAM方面因為伺服器DRAM的需求提升，加上中國手機(jī)廠商，包括OPPO、vivo以及小米都想搶食華為市占大舉擴(kuò)產(chǎn)，拉抬移動DRAM需求情況下，導(dǎo)致DRAM報價在2021年首季開始上揚(yáng)。

另外，報告認(rèn)為，隨著云計算和5G需求帶動，各大終端也開始積極對伺服器DRAM開始大規(guī)模采購計劃，且需求強(qiáng)勁力道超出市場預(yù)期，而需求增長態(tài)勢預(yù)期將持續(xù)到2022年，預(yù)測2021年首季DRAM的報價季增4%，超越先前預(yù)估的季增1%。而第2季預(yù)估更較第1季成長10%，超出之前預(yù)估的7%增幅，使得2021年總體DRAM的報價較先前預(yù)估的7%成長3個百分點，漲幅可望達(dá)到10%的水位。

至于NAND Flash市場方面，雖然2021年NAND Flash的報價成長有限，加上供過于求的狀況也將持續(xù)至2021年，預(yù)期表現(xiàn)不如DRAM來的亮眼。但報告也指出 ，只要智能手機(jī)需求成長態(tài)勢不變，即使NAND Flash不是提升重點，后續(xù)也有成長的空間 。另外，預(yù)計PC對SSD固態(tài)硬盤的需求在2021年上半年仍舊強(qiáng)勁，但預(yù)計持續(xù)時間有限，不一定能維持到下半年的情況下，針對NAND Flash在2021年的市場報價，較先前預(yù)估的下滑33%的幅度則有所收斂，預(yù)計將較2020年下滑28% 。