存儲產(chǎn)業(yè)中國隊大兵團推進，韓國隊欲以妙計化危局

"足球，我不行；半導體，你不行！" 中國政府今年六月宣布成立“中國國際集成電路新技術(shù)研究企業(yè)（中新半導體）”，該企業(yè)是由世界排名第五的半導體委托加工企業(yè)中芯國際（SMIC）、中國智能手機廠商華為、比利時半導體設計商IMEC、以及美國移動通信半導體廠商高通等四家企業(yè)聯(lián)合投資的。以此為契機，中國加快了開拓半導體市場的步伐。中國的策略不是緊跟韓國或美國，而是希望徹底掌握主動權(quán)。而韓國企業(yè)對此也制定了相應的策略，以下是來自韓國媒體《今日亞洲》的文章分析。

 

不景氣陰霾下的半導體產(chǎn)業(yè)

 

目前全球半導體市場即將迎來困難時期。這是因為隨著智能手機和電腦市場的停滯，明年全球半導體市場大有可能迎來新的低迷。智能手機和電腦需求減少會對半導體存儲器生產(chǎn)廠商產(chǎn)生直接的負面影響。

 

 

 

 

今年全球DRAM市場的規(guī)模為486.07億美元，而預計2016年將下降到441.95億美元，規(guī)模減少約9.1%。DRAM和NAND閃存同為臨時存儲數(shù)據(jù)的裝置，主要用于智能手機、電腦和平板電腦等智能產(chǎn)品。

 

業(yè)內(nèi)估計DRAM市場的負增長會持續(xù)至后年，即2017年的市場規(guī)模為441.1億美元，與2016年相比減少約0.2%。而NAND閃存的市場前景相對較好，從今年開始至2017年都會持續(xù)增長，但從2018年開始會出現(xiàn)大約2.3%的負增長。因此今后2~3年內(nèi)半導體存儲器廠商都要做出相應調(diào)整。

 

和DRAM不同，NAND閃存即使在停電的情況下也能保存數(shù)據(jù)，因此即使DRAM已經(jīng)進入低迷時期，NAND閃存市場在未來短期內(nèi)仍將持續(xù)發(fā)展，因此被半導體存儲器廠商看作是新的增長動力。

 

全球半導體存儲器市場于今年達到鼎盛期之后即將開始下滑。從上世紀八十年代初開始到2005年為止，該行業(yè)出現(xiàn)的每四年為一個周期的行情被稱為“硅周期”。受該周期影響，90年代中期出現(xiàn)的大約20多家DRAM廠商到21世紀初期減少為10多家，而近年更減少為6、7家。在這場半導體市場的“斗雞游戲”中，只有最后的勝者才能獨享市場利益。

 

業(yè)界人士表示，即使那些在半導體存儲器市場上占據(jù)前兩名的企業(yè)也不敢掉以輕心，它們通過精細加工和開發(fā)系列產(chǎn)品等舉措提高競爭力，并推出第四代內(nèi)存和固態(tài)硬盤（SSD），力求不在激烈的競爭中失去市場。

 

半導體市場低迷，三星電子和SK海力士有何良策？

 

隨著半導體業(yè)界以四年為周期的“硅周期”被打破，三星電子和SK海力士也做出了相應調(diào)整。DRAM市場在2000年后雖然較為穩(wěn)定，但振蕩周期卻縮減為1~3年，因此市場預測十分困難。

 

 

 

 

除了確保DRAM的收益之外，開發(fā)其他系列產(chǎn)品也非常重要。因此在國際DRAM市場上排前兩名的三星電子和SK海力士依賴頂尖技術(shù)，不僅希望能夠節(jié)約成本，更希望開發(fā)具有市場競爭力的大容量存儲器。此外為了減低對DRAM的依賴程度，也在大力研發(fā)NAND閃存等其他半導體存儲器以及非半導體存儲器。

 

DRAM市場的良好發(fā)展勢頭從2013年一直持續(xù)到今年，雖然有報道稱從明年開始會出現(xiàn)負增長，這卻不會對三星電子和SK海力士造成太大打擊。這是因為三星電子和SK海力士今年一季度的DRAM市場占有率達到71.7%，使得韓國企業(yè)在DRAM市場上不僅擁有領(lǐng)先技術(shù)，盈利能力也處于領(lǐng)先地位。

 

DRAM市場在一直在低谷和頂峰之間起伏。90年代中期出現(xiàn)的20多家企業(yè)進入21世紀后只剩下10多家。而最近一至五名的企業(yè)占有97%的市場份額，而其余的廠商則分享剩下的3%。

 

而業(yè)界流傳的四年周期也只是電腦DRAM市場的特征，在移動市場上早已不再出現(xiàn)。業(yè)內(nèi)人士稱，DRAM市場的重心已經(jīng)從電腦轉(zhuǎn)向移動裝置，因此四年周期已不復存在。IT產(chǎn)品的種類繁多，因此DRAM的種類也變得更多樣，市場也更為復雜，不存在顯而易見的規(guī)律。

 

中國開始進軍DRAM市場成功可能性不大

 

從2002年到2004年，DRAM市場實現(xiàn)了飛速發(fā)展，而2005年經(jīng)過短暫停滯后于2006年重新找回了發(fā)展的活力，當年DRAM市場規(guī)模突破330億美元，而2007年由于供過于求，行業(yè)內(nèi)部出現(xiàn)了殘酷的生存競爭。在行業(yè)低迷的同時又遭遇了2008年金融危機，因此當年DRAM市場規(guī)?？s減為235億美元。

 

這次不景氣一直持續(xù)到2009年，在這三年間DRAM市場上只剩下三星電子、SK海力士和美光科技（Micron Technology）這三家巨頭。2010年DRAM市場戰(zhàn)勝了低迷，取得了74.7%的增長，市場規(guī)模接近400億美元。隨后兩年雖然出現(xiàn)了負增長，但從2013年到現(xiàn)在保持了良好的發(fā)展勢頭。

 

預計今年DRAM市場規(guī)模將達到486億美元，雖然從明年開始會重現(xiàn)出現(xiàn)負增長，但韓國企業(yè)由于實現(xiàn)了DRAM產(chǎn)品的規(guī)模經(jīng)營，因此不會承受太大沖擊。

 

雖然在政府的主導下中國開始進軍DRAM市場，但業(yè)界認為成功可能性不大。和韓國相比，中國不具備技術(shù)該行業(yè)的競爭優(yōu)勢，雖然中國希望通過并購存儲器廠商來縮小差距，但并購對象大多是已經(jīng)被淘汰的廠商。

 

韓國企業(yè)針對電腦需求下滑和DRAM價格下降的趨勢，積極研發(fā)服務器和手機用DRAM，以及LPDDR4和DDR4等高性能存儲器。

 

半導體專家建議開發(fā)非存儲器來化解危局

 

面對中國企業(yè)的飛速發(fā)展和市場低迷，半導體業(yè)內(nèi)專家建議韓國企業(yè)在非存儲半導體（系統(tǒng)半導體）方面提高競爭力。專家們還一致認為政府的支持對增強企業(yè)的技術(shù)力量至關(guān)重要。

 

IT行業(yè)未來的發(fā)展方向是物聯(lián)網(wǎng)，而非存儲半導體是物聯(lián)網(wǎng)的發(fā)展的核心競爭力。韓國業(yè)內(nèi)認為，三星電子和SK海力士等韓國半導體廠商的重心普遍傾向DRAM等半導體存儲器，因此當務之急是要抓緊開發(fā)非存儲半導體。

 

中央大學電子電器工學教授Hwang HoJeong（音）認為，如果企業(yè)不能打進非存儲半導體市場，就等于用一條腿走路，畢竟非存儲器也和存儲器一樣有良好的市場前景。尤其是物聯(lián)網(wǎng)等未來的高收益型產(chǎn)業(yè)和非存儲器半導體有直接關(guān)系，因此在該領(lǐng)域要進行大規(guī)模研發(fā)。

 

事實上在過去20年間，業(yè)界一直有研發(fā)非存儲器的意愿，然而技術(shù)和政府扶持是關(guān)鍵。最近中國政府并購美國半導體企業(yè)的傳聞證實了政府在扶持半導體企業(yè)上的作用，即大規(guī)模的資金投入需要政府層面的保障。反觀韓國，政府決定明年縮減40%的研發(fā)投資對象，因此在半導體研發(fā)上的政府投入也會相應減少。

 

業(yè)內(nèi)專家還指出，為占領(lǐng)非存儲器半導體市場，企業(yè)需要對物聯(lián)網(wǎng)市場和相關(guān)服務需求做出準確判斷。物聯(lián)網(wǎng)市場四大環(huán)節(jié)是處理、存儲、感知、傳達，其中除了感知以外的其他環(huán)節(jié)都要使用非存儲器半導體來進行操作。