Qorvo的6寸晶圓工藝有突破，GaN器件產(chǎn)能將實現(xiàn)翻倍

日前消息，RF解決方案供應(yīng)商Qorvo（原RFMD和TriQuint）宣布，已成功地將專有的碳化硅(SiC)基QGaN25氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)擴(kuò)展用于在6英寸晶圓上生產(chǎn)單片微波集成電路(MMIC)。預(yù)計從4英寸過渡到6英寸晶圓，大約能使Qorvo公司的碳化硅基氮化鎵生產(chǎn)能力增加一倍，并且有利于降低制造成本——對價格實惠的射頻器件生產(chǎn)，能起到顯著的推進(jìn)作用。

 

“在6英寸晶圓上實現(xiàn)碳化硅基氮化鎵單片微波集成電路，為顯著提高生產(chǎn)能力和成本效益鋪平了道路”，Qorvo公司的基礎(chǔ)設(shè)施和國防產(chǎn)品部(IDP)總裁James Klein表示。“這是一個重要的里程碑，鞏固了Qorvo在商業(yè)和國防市場提供一流工藝和GaN產(chǎn)品的領(lǐng)導(dǎo)地位。”

 

Qorvo成功地證明，其高產(chǎn)、X波段功率放大器(PA)單片微波集成電路(MMIC)的QGaN25生產(chǎn)工藝可成功地從4英寸擴(kuò)展到6英寸碳化硅基氮化鎵晶圓。這同樣有助于將公司的所有碳化硅基氮化鎵生產(chǎn)工藝轉(zhuǎn)換到6英寸晶圓，柵極長度范圍為0.15 um至0.50 um，涵蓋整個微波至mmW應(yīng)用領(lǐng)域。預(yù)計將于2016年實現(xiàn)全面生產(chǎn)。

 

12瓦X波段的點(diǎn)對點(diǎn)MMIC功率放大器，符合80%以上的直流和射頻收益率要求，引領(lǐng)行業(yè)發(fā)展。這一工藝可行性為高速生產(chǎn)商用收發(fā)器基站(BTS)和點(diǎn)對點(diǎn)無線電、CATV及國防產(chǎn)品奠定了基礎(chǔ)。

 

晶圓尺寸擴(kuò)展進(jìn)一步鞏固了其作為美國國防部制造電子局認(rèn)可的1A類供應(yīng)商（1A Trusted Source）的領(lǐng)導(dǎo)地位。Qorvo于2014年完成DPA Title III碳化硅基氮化鎵項目，是首個達(dá)到制造成熟度(MRL)9級的公司，表明其高性能制造工藝可以投入全面生產(chǎn)。

 

美國國防部的制造成熟度評估(MRA)確保制造、生產(chǎn)和質(zhì)量要求能夠滿足作戰(zhàn)任務(wù)需求。該過程確保產(chǎn)品或系統(tǒng)從工廠順利過渡到現(xiàn)場，為客戶提供最高的價值，并滿足全部性能、成本和產(chǎn)能目標(biāo)。