關(guān)鍵字:全球DRAM市場(chǎng) 20納米 產(chǎn)能 電子設(shè)計(jì)模塊
DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷表示,2016年雖然受惠于智能手機(jī)及服務(wù)器的需求影響,單機(jī)搭載容量會(huì)有顯著提升,但各項(xiàng)終端產(chǎn)品仍難有爆發(fā)性的發(fā)展。
DRAMeXchange預(yù)估2016年整體DRAM需求增長(zhǎng)約為23%,供給位元成長(zhǎng)約為25%。市場(chǎng)仍維持小幅供過(guò)于求,DRAM單價(jià)持續(xù)下滑,各家獲利能力將大幅取決于制程轉(zhuǎn)進(jìn)所帶來(lái)的成本下降以及產(chǎn)品組合的調(diào)配。
2016年DRAM產(chǎn)業(yè)趨勢(shì)分析如下:
年度位元產(chǎn)出來(lái)自20納米制程轉(zhuǎn)進(jìn),晶圓投片量大約持平
吳雅婷表示,DRAM屬寡占市場(chǎng)型態(tài),各供貨商在產(chǎn)能的擴(kuò)張上皆有所節(jié)制,相較仍處于完全競(jìng)爭(zhēng)市場(chǎng)型態(tài)的NAND Flash健康許多。2016年的位元產(chǎn)出主要是來(lái)自于SK海力士與美光半導(dǎo)體20/21納米的轉(zhuǎn)進(jìn),晶圓產(chǎn)能上,除三星的Line17可能再微幅上升、SK海力士的新廠M14會(huì)陸續(xù)啟用之外,2016年DRAM總投片量與2015年呈現(xiàn)持平。
DDR4正式取代DDR3成為市場(chǎng)主流
隨著市場(chǎng)需求轉(zhuǎn)變以及20納米逐漸成熟,DDR4的生產(chǎn)比例越來(lái)越高。2015年由于Intel平臺(tái)支持度的問(wèn)題,DDR4的導(dǎo)入主要發(fā)生在服務(wù)器端,并且已經(jīng)率先在第四季取代DDR3成為主流。DRAMeXchange預(yù)估,個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)/筆記本電腦端由新平臺(tái)Skylake開(kāi)始采用DDR4,將會(huì)在2016年第二季起放量,成為主流解決方案。
行動(dòng)式內(nèi)存與服務(wù)器內(nèi)存生產(chǎn)比重持續(xù)提升
智能手機(jī)受惠于20nm制程產(chǎn)出的LPDDR4普及度越來(lái)越高,高端旗艦機(jī)型(除蘋(píng)果以外)以3GB/4GB為標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格。吳雅婷指出,2016年第二季起就會(huì)有單機(jī)DRAM搭載容量上達(dá)6GB的機(jī)型問(wèn)市,大幅增加移動(dòng)式內(nèi)存的需求動(dòng)能。服務(wù)器內(nèi)存亦然,受惠于20nm制程產(chǎn)出的DDR4普及度升高,在高容量32GB/64GB組件成本降低,促使廠商策略性調(diào)降價(jià)格以刺激需求,有助于服務(wù)器內(nèi)存生產(chǎn)比重提升。
中國(guó)大陸進(jìn)軍DRAM意圖仍在,但進(jìn)入門(mén)坎高,難有進(jìn)展
2016年中國(guó)大陸持續(xù)發(fā)展半導(dǎo)體的策略不變,仍將有許多并購(gòu)發(fā)生,內(nèi)存方面更是中國(guó)大陸發(fā)展的重點(diǎn)項(xiàng)目之一。吳雅婷進(jìn)一步表示,與NAND Flash較為混亂的市場(chǎng)態(tài)勢(shì)相較,DRAM市場(chǎng)三強(qiáng)鼎立的狀態(tài)結(jié)構(gòu)穩(wěn)固,引進(jìn)新的競(jìng)爭(zhēng)者恐怕導(dǎo)致更嚴(yán)重的供過(guò)于求,因此三強(qiáng)與中國(guó)大陸合作可能性低,使得中國(guó)大陸欲進(jìn)軍DRAM產(chǎn)業(yè)的困難度遠(yuǎn)高過(guò)其他半導(dǎo)體產(chǎn)品類(lèi)別。