三星電子 電子設(shè)計(jì)模塊
一直在先進(jìn)工藝晶圓代工技術(shù)領(lǐng)域與臺(tái)積電(TSMC)激烈競(jìng)爭(zhēng)的三星電子(Samsung Electronics)，可能以其第二代14納米FinFET工藝劫走所有高通(Qualcomm)的訂單。最近，三星宣布推出采用其14納米LPP (Low-Power Plus)技術(shù)的商業(yè)化量產(chǎn)邏輯工藝。
香港Maybank Kim Eng分析師Warren Lau表示，高通在兩年前約貢獻(xiàn)所有臺(tái)積電訂單的近兩成，到2017年之后會(huì)將大多數(shù)10/14納米訂單轉(zhuǎn)往三星：“三星會(huì)是未來(lái)高通14納米芯片與數(shù)據(jù)機(jī)的獨(dú)家供應(yīng)商；10納米節(jié)點(diǎn)也會(huì)是相同的情況。”
三星14納米LPP先進(jìn)工藝技術(shù)
三星表示，高通正采用該公司最新的14納米LPP工藝生產(chǎn)其Snapdragon 820處理器，首批產(chǎn)品將會(huì)應(yīng)用于今年上半年推出的移動(dòng)設(shè)備中；三星還強(qiáng)調(diào)該公司是FinFET技術(shù)的領(lǐng)導(dǎo)廠商，其第一代FinFET工藝在2015年第一季推出，當(dāng)時(shí)該公司采用自家14納米LPE (Low-Power Early)工藝生產(chǎn)Exynos 7八核心處理器。而三星將采用新的14納米LPP工藝生產(chǎn)Exynos 8八核心處理器。
以上三星的新訊息，恰巧與臺(tái)積電在1月14日的最新預(yù)測(cè)同時(shí)發(fā)布。臺(tái)積電估計(jì)該公司在16/14納米節(jié)點(diǎn)市場(chǎng)的2016年占有率，將由2015年的50%增加為70%；同時(shí)臺(tái)積電也預(yù)測(cè)市場(chǎng)對(duì)其16納米產(chǎn)品需求增加，將貢獻(xiàn)該公司2016年度業(yè)績(jī)的兩成左右。
三星與臺(tái)積電都在開(kāi)發(fā)較低價(jià)版本的FinFET工藝，以保持市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)力。在2015年第四季，臺(tái)積電完成開(kāi)發(fā)16nm FinFET Compact (FFC)工藝，是該公司在2015年中發(fā)表的16納米FinFET工藝的較低功耗、較低成本版本。臺(tái)積電預(yù)計(jì)16納米FFC工藝會(huì)在本季開(kāi)始量產(chǎn)。
而三星系統(tǒng)LSI業(yè)務(wù)與行銷(xiāo)副總裁Charlie Bae表示，該公司將會(huì)繼續(xù)提供先進(jìn)14納米FinFET工藝技術(shù)的衍生版本，以維持技術(shù)領(lǐng)導(dǎo)地位。三星表示其最新14納米LPP工藝透過(guò)電晶體結(jié)構(gòu)與技術(shù)的優(yōu)化，能提供比前一代LPE工藝技術(shù)高15%的速度與低15%的功耗。
此外三星也表示，透過(guò)采用空乏(fully-depleted) FinFET電晶體，能提供強(qiáng)化的制造能力以克服工藝微縮極限。三星預(yù)期14納米FinFET工藝能應(yīng)用于手機(jī)以及物聯(lián)網(wǎng)(IoT)芯片，還有需求高性能與省電的各種連網(wǎng)與車(chē)用芯片。
臺(tái)灣媒體稱(chēng)，臺(tái)積電將在今年第一季度完成10nm制造工藝的流片，并在第四季度開(kāi)始進(jìn)入量產(chǎn)階段。在三星還在為14納米工藝產(chǎn)能尋找合作伙伴時(shí)，臺(tái)積電整整提前一年完成預(yù)定目標(biāo)，2015年臺(tái)積電的半導(dǎo)體研發(fā)投入也創(chuàng)同行業(yè)新高。
移動(dòng)設(shè)備訪問(wèn)
