聯(lián)發(fā)科技 電子模塊
巴展期間，聯(lián)發(fā)科技（MediaTek）宣布推出新款高端智能手機(jī)處理器—聯(lián)發(fā)科技曦力P20。
采用16nm制程工藝制造，是全球首款支持LPDDR4X的SoC。內(nèi)建主頻達(dá)2.3GHz的真八核ARM Cortex-A53處理器，以及主頻達(dá)900MHz的ARM目前最高端Mali-T880 GPU。網(wǎng)絡(luò)連接方面，支持全球全模LTE Cat.6和2x20雙載波聚合，支持LTE多媒體廣播(LTE multimedia broadcast)和組播傳輸服務(wù)(multicast service)，移動(dòng)設(shè)備通過LTE即可接收高清視頻內(nèi)容，滿足4G+時(shí)代的標(biāo)配。
曦力P20是一款主打時(shí)尚輕薄娛樂拍照的高端手機(jī)處理器。Helio P20功耗相較上一代P10大幅降低25%，采用LPDDR4X低功耗內(nèi)存，不僅內(nèi)存帶寬較LPDDR3提升70%，其低至0.6V的供電電壓，實(shí)現(xiàn)了50%的節(jié)能。
配備了聯(lián)發(fā)科技自家研發(fā)的12位雙Imagiq圖像信號(hào)處理器（ISP），以及Mono拜耳傳感器（Sensors），支持雙相位檢測(cè)自動(dòng)對(duì)焦，3A硬件引擎升級(jí)配合強(qiáng)大的時(shí)域降噪技術(shù)，確保智能手機(jī)高品質(zhì)拍攝效果。
聯(lián)發(fā)科技表示，曦力P20將在2016年下半年量產(chǎn)。
聯(lián)發(fā)科手機(jī)芯片在20納米工藝停留將近一年，終于進(jìn)入FinFET工藝制造階段，卻比中國本土手機(jī)芯片廠商展訊、海思都晚了不少時(shí)間，相比高通、三星更是落后最少半年以上。作為全球第二大手機(jī)芯片供應(yīng)商，聯(lián)發(fā)科為何在FinFET工藝上遲到？
這和聯(lián)發(fā)科的芯片銷售一直是高質(zhì)低價(jià)的戰(zhàn)略有關(guān)。作為知名的Fabless廠商，特別在中國市場(chǎng)有著龐大的出貨量，F(xiàn)inFET工藝制造成本遠(yuǎn)高于20納米，成本和回報(bào)不成正比，這也導(dǎo)致聯(lián)發(fā)科沒有選擇第一時(shí)間進(jìn)入FinFET一線陣營。另一方面，如果聯(lián)發(fā)科率先進(jìn)入FinFET工藝，在有限的排片梯隊(duì)，很難保證產(chǎn)能爬坡速率。而20納米工藝非常成熟，產(chǎn)能充足。
在等待各方面條件成熟，臺(tái)積電也推出廉價(jià)版16納米FF+工藝生產(chǎn)線，ARM也推出了GPU新構(gòu)架IP核心Mali-T880，聯(lián)發(fā)科順勢(shì)進(jìn)入FinFET一線陣營。此外，聯(lián)發(fā)科將攜十核處理器殺入高端市場(chǎng)，利用FinFET工藝手機(jī)芯片決戰(zhàn)“超級(jí)中端市場(chǎng)”。
不只于手機(jī)芯片，聯(lián)發(fā)科在可穿戴設(shè)備芯片上積極拓展產(chǎn)品組合，并與諾基亞合作開發(fā)5G連接方案。
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