STMicroelectronics(簡(jiǎn)稱(chēng)ST)公司成功開(kāi)發(fā)了iNEMO Ultra產(chǎn)品-始終開(kāi)啟（Always-On）、高性能6軸加速度計(jì)和陀螺儀雙芯片LSM6DS3，該芯片提供業(yè)界領(lǐng)先的雜訊性能，同時(shí)采用先進(jìn)且高效的系統(tǒng)功耗管理技術(shù)，測(cè)試結(jié)果證明，在低功耗模式下，該產(chǎn)品能效比同級(jí)最好的產(chǎn)品還高20%。下面SITRI就為大家?guī)?lái)LSM6DS3的工藝解析摘要。
封裝平面：
ST的LSM6DS3的封裝尺寸為2.99 mm X 2.52 mm X 0.83 mm，采用了LGA封裝，共14個(gè)pin腳。
封裝X-Ray：
ST的LSM6DS3里共有2顆芯片，分別是MEMS芯片(3軸加速度計(jì)和3軸陀螺儀)、和一顆加速度計(jì)和陀螺儀共用的ASIC芯片，一共使用了40條打線（如下圖所示）。
封裝縱向：
從下圖ST的LSM6DS3的封裝縱向可以看出里面2顆芯片的大致分布。加速度計(jì)和陀螺儀MEMS位于上面，而共用的ASIC芯片則分布在下面（如下圖所示）。
同時(shí)，縱向分析也得出了LSM6DS3中的MEMS采用了傳統(tǒng)的含鉛玻璃熔融鍵合技術(shù)（如下圖所示）。
ASIC芯片：
ST的LSM6DS3加速度計(jì)和陀螺儀MEMS的共用ASIC芯片尺寸為2.66 mm X 1.96 mm，厚度為64.54 um，采用了7層平坦化鋁布線制程，其中Metal6為銅布線，含有1層多晶的CMOS技術(shù)，工藝節(jié)點(diǎn)為0.11 um。
加速度計(jì)MEMS工藝分析：
ST的LSM6DS3的加速度計(jì)MEMS部分的SEM照片樣張如下圖所示，SITRI還做了加速度計(jì)部分的縱向分析，縱向樣張見(jiàn)下面第二張圖，更多的平面細(xì)節(jié)和縱向細(xì)節(jié)請(qǐng)看SITRI的LSM6DS3的工藝分析報(bào)告。
陀螺儀MEMS工藝分析：
ST的LSM6DS3的陀螺儀MEMS部分的SEM照片樣張如下圖所示，SITRI也做了陀螺儀部分的縱向分析，縱向樣張見(jiàn)下面第二張圖，更多的平面細(xì)節(jié)和縱向細(xì)節(jié)請(qǐng)看SITRI的LSM6DS3的工藝分析報(bào)告。
總結(jié)：以上是對(duì)于ST的LSM6DS3芯片的工藝分析概覽，最后奉上這顆芯片的數(shù)據(jù)總結(jié)。
