臺積電的論文描述了一款測試芯片，能做為商用組件而且號稱擁有健康的良率；三星的論文則是敘述利用極紫外光(EUV)微影修復顯然是研發(fā)組件的經(jīng)驗，并透露7納米制程可能還需要等待幾年的時間。兩家公司都想要成為提供先進制程晶圓代工服務的領(lǐng)導廠商，不過他們對于7納米制程的策略卻大不相同。
臺積電顯然是拿到了大部分的蘋果(Apple) iPhone處理器SoC生意，這需要每年在制程技術(shù)上有一些進展；因此臺積電已經(jīng)開始為iPhone 7量產(chǎn)10納米芯片，并得在明年為iPhone 8量產(chǎn)7納米芯片。而沒了蘋果生意的三星，則可以在某種程度上的名詞游戲中喘口氣；因此該公司會稍微延后7納米的量產(chǎn)時程，但以某種形式展現(xiàn)領(lǐng)導地位──就是EUV。
與英特爾(Intel)在半導體制造領(lǐng)域各顯身手、激烈競爭的兩家公司都有了一些令人贊賞的進展，不過相關(guān)技術(shù)細節(jié)非常稀少；臺積電在ISSCC敘述了一款256Mbit的7納米制程SRAM測試芯片，儲存單元區(qū)域達到0.027mm見方，如該公司內(nèi)存部門總監(jiān)Jonathan Chang在簡報中所言：“是今年試產(chǎn)出的最小SRAM。”
臺積電的商用SRAM將于今年進行試產(chǎn)（來源：ISSCC）
而產(chǎn)生的SRAM宏單元(macro)會是臺積電的16納米制程版本之0.34倍，采用了7層金屬層，整體裸晶尺寸則是42mm見方；Chang的簡報中，關(guān)鍵內(nèi)容是這顆SRAM幾乎已經(jīng)全熟，他表示：“我們現(xiàn)在已經(jīng)能以非常非常健康的良率生產(chǎn)…與我們的設(shè)計目標相符。”
三星的EUV進展
三星的進展則更偏向研究，開發(fā)的部分比較少；該公司打造了8 Mbit測試SRAM，只能看到未來商用7納米制程的一小部分。
三星提供了其7納米SRAM (上)會比10納米SRAM (下)小30%的概念影像（來源：ISSCC）
該芯片就其本身而言并不是以EUV微影制作，三星開發(fā)了一種創(chuàng)新的維修(repair)制程，在現(xiàn)有的步進機以及EUV設(shè)備上都測試過，而并不令人驚訝的，EUV的效果比較好；一般來說維修并不是制程，因此這項成果對于三星正在進行的7納米制程EUV微影技術(shù)開發(fā)情況，能透露的不多。
產(chǎn)業(yè)專家們大多認為，EUV將能在2020年左右準備好應用于某些關(guān)鍵層的制造；三星在去年底表示，將在7納米制程采用EUV微影，但并沒有透露其應用的局限程度。
三星是否會在所謂的7納米制程落后臺積電一年、兩年甚至三年？結(jié)果仍有待觀察。
三星可以在任何時候決定并根據(jù)現(xiàn)實情況定義其EUV使用策略，而或許該公司屆時也會在營銷語言上說他們家的7納米制程更先進，因為用了EUV。
