集邦咨詢半導(dǎo)體研究中心最新研究顯示，2016年底，NAND Flash市場缺貨情況達(dá)到最高峰，在供貨持續(xù)吃緊的預(yù)期心理帶動(dòng)下，DRAMeXchange估計(jì)2017年第一季eMMC單季漲幅達(dá)15～20%，而SSD合約價(jià)也上漲10～15%，創(chuàng)下近八個(gè)季度以來單季漲價(jià)幅度的新高。不過，由于近期NAND Flash、面板與DRAM等關(guān)鍵零部件漲勢凌厲，已沖擊到智能手機(jī)與筆電的成本管控、壓縮廠商利潤，因此eMMC與SSD的平均存儲容量搭載量的成長速度將因而趨緩。
DRAMeXchange研究協(xié)理?xiàng)钗牡帽硎?，由于NAND Flash累積漲價(jià)幅度已高，迫使終端廠商紛紛調(diào)整產(chǎn)品平均存儲容量搭載量，預(yù)估第二季NAND Flash市場在整體供需仍健康的情況下，SSD與eMMC合約價(jià)上漲幅度將出現(xiàn)明顯收斂，過去幾個(gè)季度大幅漲價(jià)的態(tài)勢將走緩。
展望2017年，以各項(xiàng)NAND Flash終端需求來看，企業(yè)級固態(tài)硬盤仍為需求成長最穩(wěn)健的領(lǐng)域，受惠于服務(wù)器與數(shù)據(jù)中心端需求的強(qiáng)勁成長，高效能的企業(yè)級固態(tài)硬盤在系統(tǒng)設(shè)計(jì)上將更為普遍。而用戶級固態(tài)硬盤部分，平均搭載量成長速度將因NAND Flash漲價(jià)而趨緩。但SSD已成為筆電的標(biāo)準(zhǔn)配備，今年SSD在筆記本電腦的滲透率仍將持續(xù)提升。
此外，楊文得指出，蘋果于下半年推出的新一代iPhone，將是NAND Flash市場的后續(xù)觀察指針，在大幅度改款與更多新功能加入后，iPhone將重拾銷售動(dòng)能，有助于下半年NAND Flash市場的行情。
Flash市場最大變數(shù)，3D NAND產(chǎn)能順利開出
臺媒報(bào)道稱，去年下半年以來NAND Flash市場供不應(yīng)求，主要關(guān)鍵在于上游原廠全力調(diào)撥2D NAND Flash產(chǎn)能轉(zhuǎn)進(jìn)3D NAND，但3D NAND生產(chǎn)良率不如預(yù)期，2D NAND供給量又因產(chǎn)能排擠縮小，NAND Flash市場出現(xiàn)貨源不足問題，價(jià)格也因此明顯上漲。
不過，隨著3D NAND加速量產(chǎn)，下半年產(chǎn)能若順利開出，將成為NAND Flash市場最大變數(shù)。
2D NAND Flash制程持續(xù)往1y/1z納米進(jìn)行微縮，如三星及SK海力士去年已轉(zhuǎn)進(jìn)14納米，東芝及西部數(shù)據(jù)（WD）進(jìn)入15納米，美光導(dǎo)入16納米等。但因芯片線寬線距已達(dá)物理極限，2D NAND技術(shù)推進(jìn)上已出現(xiàn)發(fā)展瓶頸，用1y/1z納米生產(chǎn)的2D NAND并未出現(xiàn)成本效益，因此，NAND Flash廠開始將投資主力放在3D NAND，但也因產(chǎn)能出現(xiàn)排擠，NAND Flash產(chǎn)出量明顯減少，導(dǎo)致下半年價(jià)格強(qiáng)勁上漲。
去年NAND Flash價(jià)格自第2季開始全面回升，漲勢直達(dá)年底，主流的SSD價(jià)格漲幅超過4成，eMMC價(jià)格最高逼近6成，完成出乎市場意料。在此一情況下，原廠為了維持競爭優(yōu)勢，決定加速搶進(jìn)3D NAND市場，而今年亦成為3D NAND市場成長爆發(fā)的一年，產(chǎn)能軍備競賽可說是一觸即發(fā)。
以各原廠的技術(shù)進(jìn)展來看，三星去年進(jìn)度最快已成功量產(chǎn)3D NAND，去年底出貨占比已達(dá)35％，最先進(jìn)的64層芯片將在今年第1季放量投片，3D NAND的出貨比重將在本季達(dá)到45％。另外，三星不僅西安廠全面量產(chǎn)3D NAND，韓國Fab 17/18也將投入3D NAND量產(chǎn)。
包括東芝及WD、SK海力士、美光等其它業(yè)者，去年是3D NAND制程轉(zhuǎn)換不順的一年，良率直到去年底才見穩(wěn)定回升，生產(chǎn)比重均不及1成。不過，今年開始3D NAND量產(chǎn)情況已明顯好轉(zhuǎn)，東芝及WD已開始小量生產(chǎn)64層芯片，今年生產(chǎn)主力將開始移轉(zhuǎn)至64層3D NAND，除了Fab 5開始提高投片外，F(xiàn)ab 2將在本季轉(zhuǎn)進(jìn)生產(chǎn)64層3D NAND，F(xiàn)ab 6新廠將動(dòng)土興建并預(yù)估2018年下半年量產(chǎn)。
SK海力士去年在36層及48層3D NAND的生產(chǎn)上已漸入佳境，M12廠已量產(chǎn)3D NAND，今年決定提升至72層，將在第1季送樣，第2季進(jìn)入小量投片，而韓國M14廠也將在今年全面進(jìn)入3D NAND量產(chǎn)階段。
美光與英特爾合作的IM Flash已在去年進(jìn)行3D NAND量產(chǎn)，去年底第二代64層3D NAND已順利送樣，今年將逐步進(jìn)入量產(chǎn)，F(xiàn)10x廠也會(huì)開始全面轉(zhuǎn)向進(jìn)行3D NAND投片。英特爾大陸大連廠則已量產(chǎn)3D NAND，并將在今年開始量產(chǎn)新一代XPoint存儲器。
