拓墣指出，中國(guó)大陸本土純晶圓代工廠商目前最先進(jìn)的量產(chǎn)制程工藝為28納米，根據(jù)統(tǒng)計(jì)，2016年中芯國(guó)際28納米晶圓產(chǎn)能全球占比不足1%，與28納米制程市占率分別為66.7%、16.1%與8.4%的前三大純晶圓代工廠商臺(tái)積電、格羅方德、聯(lián)電仍有較大差距。
不過(guò)，根據(jù)中芯國(guó)際財(cái)報(bào)顯示，2016年第四季28納米營(yíng)收占比達(dá)到3.5%。中芯國(guó)際首席執(zhí)行官邱慈云在2月15日的法說(shuō)會(huì)上表示，28納米以下制程工藝會(huì)是2017年中芯的成長(zhǎng)動(dòng)能之一，預(yù)期2017年底28納米以下制程工藝將占公司營(yíng)收比重達(dá)到7%-9%。在剛公布的2016年業(yè)績(jī)報(bào)告中，中芯國(guó)際也展望2017年底28納米季度營(yíng)收占比接近10%。
觀察華力微電子的制程工藝布局進(jìn)度，雖然華力微電子宣布與聯(lián)發(fā)科合作的28納米移動(dòng)通信芯片已順利流片，但距量產(chǎn)仍有一段距離。華力微電子二期項(xiàng)目已于2016年底開(kāi)工，計(jì)劃2018年完工試產(chǎn)，預(yù)期將導(dǎo)入28納米生產(chǎn)線，后期逐漸過(guò)渡至20納米、14納米，華力微電子二期項(xiàng)目也有導(dǎo)入22納米FD-SOI工藝的計(jì)劃。
拓墣指出，目前正值中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)飛速發(fā)展時(shí)期，除了本土晶圓制造廠商大力擴(kuò)張發(fā)展外，受地方政府及資本的追捧，外資廠商也紛紛登陸，各廠商都寄望在中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵之際提前布局，占據(jù)有利市場(chǎng)地位。根據(jù)外資廠商進(jìn)駐大陸的技術(shù)布局習(xí)慣，一般會(huì)授權(quán)（N-1）代的技術(shù)，然而，這些技術(shù)往往又會(huì)對(duì)同期中國(guó)本土廠商產(chǎn)品造成很大的沖擊。
外資晶圓廠制程領(lǐng)先，沖擊本土廠商
截至目前，在純晶圓代工領(lǐng)域，選在南京建廠的臺(tái)積電將于2018年下半年導(dǎo)入16納米FinFET制程工藝，預(yù)計(jì)對(duì)中芯國(guó)際2019年初的14納米FinFET量產(chǎn)計(jì)劃產(chǎn)生較大影響；于成都落腳的格羅方德將于2019年底導(dǎo)入22納米FD-SOI工藝制程，直接壓迫同期華力微電子22納米FD-SOI工藝的布局計(jì)劃。
另一方面，去年底剛投產(chǎn)的廈門(mén)聯(lián)芯，初期導(dǎo)入55/40納米制程工藝，近日在聯(lián)電成功實(shí)現(xiàn)14納米FinFET量產(chǎn)計(jì)劃的條件下，宣布正式獲得聯(lián)電28納米技術(shù)授權(quán)，并計(jì)劃最快2017年第二季度導(dǎo)入量產(chǎn)，預(yù)估到年底在產(chǎn)能一萬(wàn)六千片中，有一萬(wàn)片是28納米。
在量產(chǎn)速度上，聯(lián)芯成為大陸領(lǐng)先。雖然中芯國(guó)際的28納米制程工藝已在這之前開(kāi)始量產(chǎn)，但從產(chǎn)品規(guī)格來(lái)看，中芯更多偏向中低端的28納米Ploy/SiON技術(shù)，對(duì)于高端的28納米HKMG制程工藝涉足并不深，而聯(lián)電的28納米在量產(chǎn)時(shí)間上領(lǐng)先中芯國(guó)際兩年，技術(shù)水準(zhǔn)也相對(duì)更加全面和穩(wěn)定，預(yù)計(jì)未來(lái)會(huì)對(duì)中芯國(guó)際28納米的布局產(chǎn)生較大的影響。
因此，拓墣指出，未來(lái)隨著各外資廠商新廠的落成投產(chǎn)，等待大陸本土廠商的將是來(lái)自各外資廠商在技術(shù)、人才、市場(chǎng)等多方面資源的直接競(jìng)爭(zhēng)，中國(guó)大陸晶圓代工廠先進(jìn)制程布局將全面開(kāi)戰(zhàn)。
