有分銷商人士對國際電子商情表示，閃迪19納米工藝產品今年第三季度就會停產（EOL），15納米的4GB產品最快也要等到Q3-4才會進行量產。閃迪的4GB顆粒這周牌價4.6美元左右微漲。未來閃迪主推15納米工藝產品，待產能釋放將直接8GB-16GB起跳。
目前，西部數據、閃迪、HGST共同組成了西部數據公司，SSD漲價讓西數營收暴增。SSD方面從去年第二季至今漲幅逾八成，本周報價出現下跌，調降各產品線約1美元智能手機方面，eMMC價格也出現微跌。內存IC設計及模塊廠認為，NAND Flash漲多回調，預估第二季將面臨價格回跌，下半年進入新品出貨旺季，可使銷售量上揚。
閃迪和東芝聯手打造的15nm工藝除了縮小芯片尺寸之外，還改進了外圍電路技術，能夠獲得和第二代19nm工藝相同的寫入速度。同時借助新的高速接口，數據傳輸率相比上一代 19nm 的模塊提高了30%，達到533Mbps。閃迪設計東芝制造的15nm NAND 閃存模塊在日本三重縣四日市的 Fab 5 廠房進行量產，15納米主要用于替代19納米工藝生產先進構架的新存儲芯片，可以制造全球體積最小且最具成本效益的128Gb芯片，是閃迪未來數年的主流工藝。
在3D-NAND的進展上，64層堆棧的3D-NAND Flash在良率與eMMC／UFS、消費級SSD、企業(yè)級SSD等OEM產品的導入上，挑戰(zhàn)性皆增加，因此明年3D-NAND在64層堆棧的產品成熟前也將維持供應吃緊的狀況，最快要到2017年第三季起才有機會成熟量產出貨。
從產品面看，閃迪（西數）64層堆棧3D-NAND Flash已經在自家Retail產品開始出貨，OEM產品的認證過程也會在本季開始進行，預計整體3D-NAND Flash的產出比重在2017年底前將超過50%。
從需求端來看，由于智能手機成長放緩、平板電腦出貨持續(xù)衰退，相關行動式 NAND的需求成長動能將改由平均搭載量（Content per box）來驅動，而在新款iPhone出貨主流為128GB下，其他智能手機品牌也加速提升eMMC／UFS的容量來提高產品競爭力。
預估，2017年第四季全球筆電出貨的固態(tài)硬盤滲透率將超越50%，且企業(yè)級SSD的需求也隨著服務器／數據中心的需求強勁成長而快速上揚，再加上固態(tài)硬盤的平均搭載量也持續(xù)增加，使得2017年整體固態(tài)硬盤需求成長率將高達60%，所消耗的Flash比重也將正式站上40%大關，為各項NAND Flash終端需求中表現最強勁的應用。
