英特爾和美光宣布雙方未來(lái)將獨(dú)立開(kāi)發(fā)3D NAND技術(shù)。日前,Intel宣布和美光的閃存合作即將發(fā)生關(guān)鍵性變化,雙方的合作會(huì)一直持續(xù)到2019年初,這個(gè)項(xiàng)目完成之后Intel和美光將會(huì)正式分道揚(yáng)鑣。電子設(shè)計(jì)模塊
英特爾日前在官網(wǎng)宣布,與美光的閃存合作即將發(fā)生關(guān)鍵性變化,具體內(nèi)容則是雙方將會(huì)在2018年繼續(xù)研究第三代3D NAND的研發(fā)與生產(chǎn),并且將持續(xù)到2019年年初,在此之后雙方將不再合作。
目前,英特爾和美光正在進(jìn)行第二代64層3D閃存的增產(chǎn)工作,所以近期內(nèi)不會(huì)出現(xiàn)太多的合作變動(dòng)。
兩家公司已經(jīng)同意在這一技術(shù)節(jié)點(diǎn)之后,雙方將獨(dú)立開(kāi)發(fā)3D NAND,以便更好地為各自的業(yè)務(wù)需求優(yōu)化技術(shù)和產(chǎn)品。
Intel強(qiáng)調(diào),這次“分手”是雙方同意的,獨(dú)立之后二者將能抽出更多精力優(yōu)化自身產(chǎn)品并提供更好的服務(wù)給客戶,分開(kāi)之后不會(huì)對(duì)路線圖和技術(shù)節(jié)點(diǎn)造成影響。
“英特爾和美光科技建立了成功的長(zhǎng)期合作關(guān)系,令雙方受益匪淺。現(xiàn)在,NAND 開(kāi)發(fā)合作關(guān)系已經(jīng)發(fā)展到了適當(dāng)階段,是時(shí)候讓兩家公司致力于各自專注的市場(chǎng)。”英特爾非易失性存儲(chǔ)解決方案部門(mén)高級(jí)副總裁兼總經(jīng)理 Rob Crooke 說(shuō),“我們的 3D NAND 和 Optane 技術(shù)路線圖為客戶應(yīng)對(duì)當(dāng)下的眾多計(jì)算和存儲(chǔ)需求提供了強(qiáng)大的解決方案。”
“美光與英特爾的合作由來(lái)已久,我們期待在未來(lái)各自進(jìn)行 NAND 開(kāi)發(fā)的同時(shí)繼續(xù)就其他項(xiàng)目與英特爾合作。”美光科技技術(shù)開(kāi)發(fā)執(zhí)行副總裁 Scott DeBoer 說(shuō),“我們3D NAND 技術(shù)的開(kāi)發(fā)路線圖非常穩(wěn)固,計(jì)劃在我們業(yè)界領(lǐng)先的 3D NAND 技術(shù)基礎(chǔ)上,將極具競(jìng)爭(zhēng)力的產(chǎn)品推向市場(chǎng)。”
Intel和鎂光的合作可以追溯到2005年。當(dāng)時(shí)雙方成立了合資企業(yè)IM Flash Technologies(IMFT),孕育的首批產(chǎn)品是72nm NAND。2012年,Intel把多數(shù)IMFT工廠的股份賣(mài)給了美光,只保留Lehi這一個(gè)據(jù)點(diǎn)。
此后,雙方就開(kāi)始各自興建自己的生產(chǎn)線,開(kāi)始生產(chǎn)一些自家品牌的存儲(chǔ)產(chǎn)品。美光獨(dú)自建立Fab工廠生產(chǎn)NAND Flash,并提供NAND Flash給英特爾,研發(fā)工作仍然是兩家聚集在Lehi工廠共同進(jìn)行。
另外,英特爾和美光兩家公司將繼續(xù)共同運(yùn)營(yíng)猶他州的Lehi工廠,該工廠主要是負(fù)責(zé)3D XPoint的研發(fā)與生產(chǎn),所以即使雙方停止了3D NAND的合作,也不會(huì)影響3D XPoint技術(shù)的發(fā)展和制造。
據(jù)AnandTech分析,Intel和美光的市場(chǎng)屬性不同,Intel只愿意將美光提供的閃存給自己的SSD用,而美光則急于參與全球競(jìng)爭(zhēng),想把閃存賣(mài)給更多客戶,尤其是手機(jī)廠商,這或許是“分手”的主要原因。
AnandTech猜測(cè),也可能是 NAND 堆疊層數(shù)破百之后,需要調(diào)整 String Stacking 的堆疊方式,兩家公司對(duì)此看法不同,因而分手。
另一個(gè)可能是,目前 3D NAND 的生產(chǎn)主流是電荷儲(chǔ)存式(Charge trap) ,三星電子等都采用此一方式,英特爾/美光是唯一采用浮閘(floating gate)架構(gòu)的業(yè)者。也許是兩家公司中有一家想改采電荷儲(chǔ)存式架構(gòu),但是此舉等于坦承失敗,代表從2D NAND 轉(zhuǎn)換成 3D NAND 后,續(xù)用浮閘是錯(cuò)誤決定,因而鬧翻。
對(duì)普通消費(fèi)者來(lái)說(shuō),這次“分手”具有很多積極的意義。內(nèi)存市場(chǎng)今后產(chǎn)品更拓寬,新的技術(shù)也應(yīng)該會(huì)更快推出,多頭競(jìng)爭(zhēng)應(yīng)使內(nèi)存的價(jià)格更趨于合理。