有消息顯示,韓國政府近日將攜三星電子與國家發(fā)改委簽署備忘錄,內(nèi)容將涵蓋在半導體領(lǐng)域的相關(guān)合作,其中包含擴大在中國投資以及技術(shù)合作的可能性......科學實驗?zāi)K
集邦咨詢半導體研究中心(DRAMeXchange)指出,由于內(nèi)存價格延續(xù)呈現(xiàn)超過6個季度的上漲,造成數(shù)家中國智能手機品牌廠不堪成本壓力,因此在去年年底,國家發(fā)改委約談三星半導體,使得第一季行動式內(nèi)存的漲幅有所收斂。有消息顯示,韓國政府近日將攜三星電子與國家發(fā)改委簽署備忘錄,內(nèi)容將涵蓋在半導體領(lǐng)域的相關(guān)合作,其中包含擴大在中國投資以及技術(shù)合作的可能性。
近年來,中國成為內(nèi)存產(chǎn)品的最大出??冢还苁菄鴥?nèi)需求或是外銷,透過中國所購買的內(nèi)存比重持續(xù)增加,對于中國市場情緒的變化,三星必須給予尊重及反應(yīng)。因此,DRAMeXchange研究協(xié)理吳雅婷指出,此次事件將可能對未來內(nèi)存產(chǎn)業(yè)產(chǎn)生以下兩種影響:
一、DRAM雖仍呈供貨吃緊狀態(tài),但未來漲幅將受抑制
就DRAM領(lǐng)域來看,目前供貨商在生產(chǎn)行動式內(nèi)存的獲利遠低于其他類別產(chǎn)品,而受到第一季智能手機低迷需求的影響,再加上國家發(fā)改委的動作,預(yù)期未來價格漲幅將更受抑制。展望未來,供貨商預(yù)期會持續(xù)將現(xiàn)有的產(chǎn)能從行動式內(nèi)存轉(zhuǎn)向更高毛利產(chǎn)品,造成其他類別產(chǎn)品的價格漲幅也進一步收斂。
二、供貨商為避免價格漲幅過高,新增產(chǎn)能的可能性增加
其次,在NAND Flash領(lǐng)域,2018年由于3D NAND Flash的比重持續(xù)提高,因此供貨吃緊的狀態(tài)較去年大幅改善。然而,觀察DRAM供給,由于目前并未有新增產(chǎn)能貢獻位元產(chǎn)出,造成2018年仍屬供不應(yīng)求狀態(tài)。DRAMeXchange分析,為應(yīng)對中國方面對于內(nèi)存價格持續(xù)上漲所表達的強烈不滿,對供貨商而言,在漲價受到抑制、成本下降不易的考慮下,新增產(chǎn)能的可能性與時程皆可能轉(zhuǎn)趨積極,透過增加產(chǎn)能來貢獻位元產(chǎn)出不僅可以維持價格穩(wěn)定,也希望藉此維持該企業(yè)在DRAM產(chǎn)品的獲利水平。