2017年內(nèi)存價格連續(xù)上漲長達6個季度，單條8GB DDR4一度逼近千元大關(guān)，最近雖有回落但依然處于高位。2017年12月，中國智能型手機廠商因內(nèi)存價格的持續(xù)上漲和供應(yīng)不暢，向發(fā)改委檢舉了三星電子，中國政府正式介入市場干預(yù)。

根據(jù)供應(yīng)鏈透露，中國發(fā)改委近日向三星電子提出控制內(nèi)存價格上漲和優(yōu)先向中國企業(yè)供應(yīng)內(nèi)存的要求，還施壓三星停止對中企的專利訴訟。去年底在中國廠商舉報三星時，發(fā)改委約談了三星電子負(fù)責(zé)人進行調(diào)查，并調(diào)查了三星電子、SK海力士、美國美光等存儲器廠商是否涉及聯(lián)合壟斷行為。

近年來，由于高速效能運算及手機內(nèi)存容量大幅提升的情況下，內(nèi)存的供貨吃緊，并且造成價格連續(xù)6季持續(xù)上揚，且居高不下。供貨吃緊和需求提升所引起的內(nèi)存產(chǎn)業(yè)超級周期，拉抬了三星電子和SK海力士等內(nèi)存制造商的產(chǎn)品價格和獲利。目前三星是全球最大的內(nèi)存芯片廠商，其DRAM產(chǎn)品市場占比約 48%，NAND Flash 產(chǎn)品市場占比約 35.4%。

事實上，自 2016 年下半年開始內(nèi)存價格開始飆升。其中，主流的智能型手機普遍因內(nèi)存的價格上漲，價格提高了人民幣 100 到 200元。至于，新發(fā)售的旗艦機款價格，則較之前同價位產(chǎn)品約高出人民幣300元以上，而且市場需求還不能獲得滿足，因此造成中國智能型手機廠商的不滿，因此集體向中國發(fā)改委檢舉。

據(jù)了解，目前發(fā)改委已經(jīng)多次約談了三星，而且還針對內(nèi)存的連續(xù)漲價約談過三星。目前還不清楚發(fā)改委會對三星采取什么樣的進一步措施，但如果三星真的故意操縱DRAM內(nèi)存顆粒價格，發(fā)改委很可能會參照其他國家這方面的行動而采取具體的措施。

發(fā)改委價監(jiān)局處長徐新宇此前表示：“我們已經(jīng)注意到內(nèi)存價格的價格飆升，會更加關(guān)注該行業(yè)未來可能因價格操縱引起的問題。”他還明確指出，可能有多家公司協(xié)同行動，推高內(nèi)存價格，謀求獲利最大化。

三星在面臨中國發(fā)改委施壓和涉及內(nèi)存價格聯(lián)合壟斷的指控后，本月初雙方簽署合作備忘錄（ＭＯＵ），在芯片生產(chǎn)、人工智能（AI）、半導(dǎo)體制造等領(lǐng)域進行潛在合作。南韓半導(dǎo)體業(yè)人士表示，“考慮中國半導(dǎo)體市場規(guī)模和其境內(nèi)工廠，三星電子很難無視中國政府的要求”。