武漢新芯三維晶圓堆疊技術成功，大陸相關應用將提速

12月3日，武漢新芯集成電路制造有限公司對外宣布稱，基于其三維集成技術平臺的三片晶圓堆疊技術研發(fā)成功。該消息一出，就引發(fā)了業(yè)界的關注，其原因在于三維芯片具備多重優(yōu)勢，因此武漢新芯在三維晶圓堆疊技術方面的突破勢必會引發(fā)大家的熱議。

三維芯片由多個平面器件層垂直堆疊而成，并通過硅通孔進行層間互。與傳統(tǒng)的2.5D芯片堆疊相比，晶圓級的三維集成技術能同時增加帶寬、降低延時、提高性能、降低功耗。

據(jù)了解，三維集成技術是武漢新芯繼NOR Flash、MCU之外的第三大技術平臺。武漢新芯的三維集成技術居于國際先進、國內(nèi)領先水平，已積累了6年的大規(guī)模量產(chǎn)經(jīng)驗，能為客戶提供工藝先武漢新芯進、設計靈活的晶圓級集成代工方案。”武漢新芯這一技術橫跨了3D NAND、BSI、嵌入式存儲等多個領域，這對帶寬、性能、多功能集成等方面有重要需求的AI和物聯(lián)網(wǎng)領域擁有頗為廣泛的應用前景。

當然，三維芯片堆疊技術仍要在良率提升、功耗降低、芯片的制造和測試成本增加層面都還要著力解決相應的挑戰(zhàn)。

實際上，3D的晶圓堆疊技術已有多年的研發(fā)歷史，但技術成熟度還比較低，進入量產(chǎn)階段仍需要一些時間，且相關技術主要被三星、SK海力士、英特爾，以及臺積電等先進半導體企業(yè)所把持，武漢新芯的這個突破將激勵中國大陸半導體行業(yè)在該技術的鉆研以及將加速相關應用的發(fā)展。