長(zhǎng)江存儲(chǔ)年中試產(chǎn)192層3D NAND？官方辟謠

日經(jīng)亞洲評(píng)論12日引述未具名消息人士報(bào)導(dǎo)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃在2021下半年，將存儲(chǔ)器芯片的月產(chǎn)量倍增至10萬片硅晶圓，約占全球產(chǎn)出7%。相較之下，全球最大NAND 型快閃存儲(chǔ)器制造商三星的月產(chǎn)出為48萬片硅晶圓，美國(guó)最大存儲(chǔ)器廠商美光（Micron Technology, Inc.）則月產(chǎn)18萬片硅晶圓。

除了擴(kuò)產(chǎn)現(xiàn)有芯片，長(zhǎng)江存儲(chǔ)也打算加快科技發(fā)展進(jìn)程，近期，有消息人士表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)計(jì)劃最早將于2021年年中試產(chǎn)第一批192層3D NAND閃存芯片。此外，計(jì)劃到2021年下半年將存儲(chǔ)芯片的月產(chǎn)量提高一倍，至10萬片晶圓。

當(dāng)然，消息補(bǔ)充稱，由于192層工藝的復(fù)雜性，需要時(shí)間確保量產(chǎn)芯片質(zhì)量，這一計(jì)劃有可能會(huì)被推遲到今年下半年。

對(duì)于上述消息，1月13日長(zhǎng)江存儲(chǔ)發(fā)出《聲明》稱“均為不實(shí)言論” 。長(zhǎng)江存儲(chǔ)強(qiáng)調(diào)，關(guān)于公司下一步建設(shè)計(jì)劃具體情況請(qǐng)以公司官方渠道為準(zhǔn)。